太阳能电池基础与应用-第一章.pptVIP

第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 —— 之半导体物理基础 2.7、 半导体器件物理学基本方程 前面几节中已经概述了半导体的有关特性，这些内容现在将被归纳为一组能描述半导体器件工作的基本方程。这些方程的解使我们能够确定包括太阳电池在内的大部分半导体器件的理想特性。忽略其余两维空间的变化，方程组将写成一维的形式。 1、 泊松方程 它描述了电场散度与空间电荷密度ρ之间的关系，在一维情况下，其形式为： 式中?是介电常数。? ρ为电荷密度。在半导体中， ρ值为 第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 —— 之半导体物理基础 式中，p 和n 是空穴和电子的浓度，ND+和NA-分别是已电离的施主和受主的浓度。在正常情况下，大部分施主和受主都被电离，因此 式中ND和NA为施主和受主杂质的总浓度。 第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 —— 之半导体物理基础 电子和空穴通过漂移和扩散过程可对电流作出贡献。因此，电子和空穴的总电流密度Je和Jh的表达式为 迁移率和扩散系数的关系由爱因斯坦关系式[De=(kT/q)μe和Dh=(kT/q)μh]确定。 2、电流密度方程 第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 —— 之半导体物理基础 3、连续方程 参看图2.11 中长为?§x、横截面积为A 的单元体积，可以说这个体积中电子的净增加几率等于它们进入的速率减去它们出去的速率，加上该体积中它们的产生率，减去它们的复合率，写成方程为： 图2.11 推导电子连续方程用的单元体积 第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 —— 之半导体物理基础 式中G 是由于外部作用（如光照）所一引起的净产生率，U 是净复合率。在稳态情况下，净增加率必须为0，这样就有 同样，对于空穴有 第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 —— 之半导体物理基础 4、方程组 由上述方程，我们可得到应用于半导体器件的基本方程组： 利用计算机，通过引入一些考虑周详的近似处理，可能极简单地就可求得这些方程的解。 第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 —— 之半导体物理基础 3 、半导体pn 结 3.1、 能带图 在一块半导体晶体内，P 型和n 型紧接在一起时，将它们交界处称为pn 结。当p 型， n 型单独存在时，费米能级如图2.12（a）所示，分别位于介带和导带附近. 一旦形成pn 结，由于结两边的电子和空穴的浓度不同，电子就强烈地要从n 区向p 区扩散，空穴则要向相反方向扩散，其结果在n 型一边出现正电荷，在p 型一边出现负电荷，这两种电荷层在半导体内部建立了一个内建电场，这个电场反过来又在结处产生一个内部电位降，阻挡了电子和空穴的进一步扩散，包含这两种电荷层的空间称为耗尽区或空间电荷区。通过这个空间电荷区的作用，使费米能级成同一水平，达到平衡状态。图2.12（b）表示pn 结的能带图及从p 区向n 区变化的空间电荷区。内建电场从n 区指向p 区，形成势垒。在平衡状态下，由于扩散，从p 区越过势垒向n 区移动的空穴数目等同于空间电荷区附近n 区中由于热运动产生的少数载流子空穴在空间电荷区内建电场的作用下漂移到p 区的数目，因此没有电流流过。对于电子也可做同样的论述。 第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 —— 之半导体物理基础 3.2、 电流电压特性 在pn 结上加偏置电压时，由于空间电荷区内没有载流子（又称为耗尽区）形成高阻区，因此，电压几乎全部跨落在空间电荷区上。当外加电压使得p 区为正时，势垒高度减小， 空穴从p 区向n 区的移动以及电子从n 区向p 区的移动变得容易，在两个区内有少数载流子注入，因此电流容易流动（称为正向）。当外加电压使得n 区为正时，势垒高度增加，载流子的移动就变得困难，几乎没有电流流过（此时称为反向）。当存在外加电压时，空间电荷区的n 区边界和p 区边界的空穴浓度pn 及电子浓度np 如下： 当加正向电压时V0，加反向电压时V0。 第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性