ch1单晶硅特性重点分析.pptVIP

1.2硅晶体缺陷——点缺陷 肖特基缺陷：空位缺陷； 弗伦克尔（Frenkel）缺陷：原子热运动脱离晶格位置进入晶格之间，形成的空穴和自填隙的组合； 填隙杂质在微电子工艺中是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整性，引起点阵的畸变，但对半导体晶体的电学性质影响不大； 替位杂质通常是在微电子工艺中有意掺入的杂质。例如，硅晶体中掺入Ⅲ、Ⅴ族替位杂质，目的是调节硅晶体的电导率；掺入贵金属Au等，目的是在硅晶体中添加载流子复合中心，缩短载流子寿命。 1.2硅晶体缺陷——点缺陷 线缺陷最常见的就是位错。位错附近，原子排列偏离了严格的周期性，相对位置发生了错乱。 位错可看成由滑移形成，滑移后两部分晶体重新吻合。在交界处形成位错。用滑移矢量表征滑移量大小和方向。 1 2 3 B A 缺陷附近共价键被压缩1、拉长2、悬挂3，存在应力 1.2硅晶体缺陷——线缺陷 位错主要有刃位错和螺位错 刃（形）位错：晶体中插入了一列原子或一个原子面，位错线AB与滑移矢量垂直； 螺（旋）位错：一族平行晶面变成单个晶面所组成的螺旋阶梯，位错线AD与滑移矢量平行。 1.2硅晶体缺陷——线缺陷 1.2硅晶体缺陷——线缺陷 刃位错 螺位错 1.2硅晶体缺陷——线缺陷 刃形位错的两种运动方式：滑移和攀移。 硅晶体的双层密排面间原子价键密度最小，结合最弱，滑移常沿{111}面发生，位错线也就常在{111}晶面之间。该面称为滑移面。 面缺陷主要是由于原子堆积排列次序发生错乱，称为堆垛层错，简称层错。 体缺陷是杂质在晶体中沉积形成；晶体中的空隙也是一种体缺陷。 1.2硅晶体缺陷——面缺陷和体缺陷 1.2硅晶体缺陷——缺陷的产生及结团 缺陷是存在应力的标志，微电子工艺过程中能够诱导缺陷的应力主要有三种： 存在大的温度梯度，发生非均匀膨胀，在晶体内形成热塑性应力，诱生位错； 晶体中存在高浓度的替位杂质，而这些杂质和硅原子大小不同，形成内部应力诱生缺陷； 硅晶体表面受到机械外力，如表面划伤、或受到轰击（离子，射线等），外力向晶体中传递，诱生缺陷。 结团作用：高浓度低维缺陷倾向于集聚，形成更高维缺陷，释放能量 缺陷的去除：缺陷在器件的有源区（晶体管所在位置）影应响其性能，必须设法使之减少。 单晶生长时的工艺控制； 非本征吸杂，在无源区引入应变或损伤区来吸杂； 本征吸杂，氧是硅片内固有的杂质，硅中氧沉淀，氧有吸杂作用，是一种本征吸杂。 1.2硅晶体缺陷——缺陷的去除 1.3硅晶体中的杂质 半导体材料多以掺杂混合物状态出现，杂质分为有意掺入的和无意掺入的。 有意掺入Si中的杂质有Ⅲ、VA族硼、磷、砷、锑。故意杂质一般能替代硅原子，占据晶格位置，在适当的温度下电离生成自由电子或空穴，能改变硅晶体的电学特性，具有电活性。 无意掺入Si中的杂质有氧，碳等。 1.3硅晶体中的杂质 间隙式杂质：主要是Ⅰ和Ⅷ族元素，有：Na、K、Li、H等，它们通常无电活性，在硅中以间隙方式扩散，扩散速率快。 替位式杂质：主要是Ⅲ和Ⅴ族元素，具有电活性，在硅中有较高的固溶度。以替位方式扩散为主，也存在间隙-替位式扩散，扩散速率慢，称为慢扩散杂质。 间隙—替位式杂质：大多数过渡元素：Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等。都以间隙-替位方式扩散，约比替位扩散快五六个数量级，最终位于间隙和替位这两种位置，位于间隙的杂质无电活性，位于替位的杂质具有电活性。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键内的电子 称为束缚电子 挣脱原子核束缚的电子 称为自由电子 T=0K 且无外界激发，只有束缚电子，没有自由电子，本征半导体相当于绝缘体。 T=300K，本征激发，少量束缚电子摆脱共价键成为自由电子。 1.3硅晶体中的杂质 掺杂半导体 掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高 掺入三价元素，如B 形成P型半导体，也称空穴型半导体。 掺入五价元素，如P 形成N型半导体，也称电子型半导体。 1.3硅晶体中的杂质 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +5 在本征半导体中掺入五价元素如P 自由电子是多子（杂质、热激发） 空穴是少子 （热激发） 由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子 1.3硅晶体中的杂质 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +3 在本征半导体中掺入三价元素如B 自由电子是少子（热激发) 空穴是多子（杂质、热激发） 因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 1.3硅晶体中的杂质 1.3.1杂质对Si电学特性的影响 Ⅲ、V族电活性杂质主要有：硼、磷、砷，锑等浅能级杂质 金等杂质在室温时难以