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第7章 半导体存储器及其接口 教学重点 SRAM、ROM与CPU的连接 半导体存储器概述 存储系统的层次结构 1、存储系统的层次结构 是指把各种不同存储容量、存取速度和价格的存储器按层次结构组成多层存储器，并通过管理软件和辅助硬件有机组合成统一的整体，使所存放的程序和数据按层次分布在各种存储器中 2、常用的存储系统的层次结构 主要由高速缓冲存储器Cache、主存储器和辅助存储器组成，如图所示 存储器的分类 1、按存储介质分类 半导体存储器、磁表面存储器、光表面存储器 2、按存储器的读写功能分类 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 3、按用途分类 内存储器、外存储器 4、按在微机系统中的作用分类 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器 5、按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 半导体存储器的分类 只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 随机读写存储器RAM分类 存储器的基本性能指标 1、存储容量 与地址线位数有关 （1）存储容量=存储器单元数×每单元二进制位数 （2）换算关系： 与数据线位数有关 1KB=1024B 1MB=1024KB 1GB=1024MB 2、存取速度 （1）存取时间 （2）存取周期 3、可靠性，功耗，价格等 动态RAM（DRAM） 动态RAM的刷新 为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进行读出和再写入 只读存储器——ROM 只读存储器（ROM）是一种工作时只能读出，不能写入信息的存储器。在使用ROM时，其内部信息是不能被改变的，故一般只能存放固定程序，如监控程序、BIOS程序等。只要一接通电源，这些程序就能自动地运行 掩膜只读存储器 电可擦除可编程只读存储器—E2PROM 一种可以用电擦除和编程的只读存储器 闪存——Flash Memory 存储器与微处理器的连接 存储器的工作时序 存储器读周期 TA读取时间 从读取命令发出到数据稳定出现的时间 给出地址到数据出现在外部总线上 TRC读取周期 两次读取存储器所允许的最小时间间隔 有效地址维持的时间 存储器写周期 TW写入时间 从写入命令发出到数据进入存储单元的时间 写信号有效时间 TWC写入周期 两次写入存储器所允许的最小时间间隔 有效地址维持的时间 8086存储器结构 分为偶地址存储体和奇地址存储器 偶地址存储体与D7~D0连接，A0=0 奇地址存储体与D15~D8连接,BHE*=0 如果低字节在偶地址存储体，高字节在奇地址存储体时，一个总线周期即可完成16位数据传送。 补充：半导体存储器芯片的结构 ① 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元 ③ 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作 ① 存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 ② 地址译码电路 单译码结构 双译码结构 双译码可简化芯片设计 主要采用的译码结构 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 典型芯片举例：随机存取存储器 静态RAM SRAM 2114 SRAM 6116 静态RAM SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵： 每个存储单元存放多位（4、8、16等） 每个存储单元具有一个地址 SRAM芯片2114 存储容量为1024×4 18个引脚： 10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE* Intel211