微电子工艺课件第五章.pptVIP

1．直流溅射 直流溅射又被称为阴极溅射或直流二极溅射。下图显示了 直流溅射设备的示意图。在直流溅射过程中，常用Ar气作为工 作气体。工作气压是一个重要的参数，它对溅射率以及薄膜的 质量都有很大的影响。在相对较低的气压条件下，阴极鞘层厚 度较大，原子的电离过程多发生在距离靶材很远的地方，因此 离子运动至靶材处的几率较小。同时，低压电子的自由程较 长，电子在阳极上消失的几率较大，而离子在阴极上溅射的同 时发射二次电子的几率又由于气压较低而相对较小。这使得低 压下的原子电离成离子的几率很低，在低于1Pa的压力下甚至不 易发生自持放电。这些均导致低压条件下溅射率很低。 随着气体压力的升高，电子的平均自由程减少，原子的电 离几率增加，溅射电流增加，溅射速率提高。但当气体压力过 高时，溅射出来的靶材原子在飞向衬底的过程中将会受到过多 的散射，因而其淀积到衬底上的几率反而下降。因此随着气压 2. 汤生放电区 当电极间的电压继续升高时， 外电路转移给电子和离子的能量也 逐渐增加，电子的运动速度也随之 加快，电子与中性气体分子之间的 碰撞不再是低速时的弹性碰撞，而 会使气体分子电离，产生正离子和 电子(α作用)，同时正离于对阴极 的碰撞也将产生二次电子(γ作用)， 如右图所示。 新产生的电子和原有的电子继 续被电场加速，在碰撞过程中有更 多的气体分子被电离，使离子和电 子数目雪崩式的增加，放电电流也 就迅速增大，在伏-安曲线上便出现汤生放电区，如上图中bc段 所示。在汤生放电区，电压受到电源高输出阻抗和限流电阻的 限制而呈常数。 无光放电和汤生放电都是以存在自然电离源为前提，即存 在宇宙高能射线的照射而使气体电离的外界源，或者其他电离 源。如果不存在自然电离源，则放电不会发生，因此，这种放 电方式又称为非自持放电。 3. 辉光放电 （1）前期辉光放电：在汤生放电之后，气体突然发生放电击穿现象，电路中的电流大幅度增加，同时放电电压显著下降，前图中的c点就是放电的着火点。在此点放电区只是在阴极的边缘和不规则处，从c点开始进入电流增加而电压下降的cd段，这一阶段也称前期辉光放电。产生这样的负阻现象是因为这时的气体己被击穿，气体内阻将随着电离度的增加而显著下降。 （2）正常辉光放电：如果再增大电流，那么放电就会进入电压一定的de段，也就是正常辉光放电区。此时电流的增加显然与电压无关，而只与阴极上产生辉光的表面积有关。在这个区域内，阴极的有效放电面积随电流增加而增大，而阴极有效放电区内的电流密度保持恒定。在这一阶段，导电的粒子数目大大增加，在碰撞过程中转移的能量也足够高，因此会产生明显的辉光，维持辉光放电的电压较低，而且不变。气体击穿之后，电子和正离子来源于电子的碰撞和正离子的轰 上述放电称为正常辉光放电。辉光放电的电流密度与阴极 材料和气体的种类有关。此外，气体的压强与阴极的形状对电 流密度的大小也有影响。电流密度随气体压强的增加而增大； 凹面形阴极的正常辉光放电电流密度要比平板形阴极大数十 倍。 由于正常辉光放电时的电流密度仍然比较小，所以溅射还 不能选在这个区，而是选在反(异)常辉光放电区。 击，即使不存在自然电离源，导电也将继续下去，这种放电方 式又称为自持放电。当气体击穿时，也就是从非自持放电过渡 到自待放电。 4. 反常辉光放电 当整个阴极均成为有效放电区域之后、也就是整个阴极全被辉光覆盖之后，只有增加功率才能增加阴极的电流密度，从而增大电流，也就是说放电的电压和电流密度将同时增大，此时进入反常辉光放电状态，如前图中的ef段。 其特点是：电流增大时，两个放电极板之间电压升高，而且阴极电压降的大小与电流密度和气体压强有关。因为： 此时辉光已布满整个阴极，再增加电流时，离子层巳无法向四周扩散； 这样，正离子层便向阴极靠拢，使正离子层与阴极间距离缩短； 此时要想提高电流密度，则必须增大阴极压降使正离子有更大的能量去轰击阴极，使阴极产生更多的二次电子才行。 5. 电弧放电 随着电流的继续增加，放电电压将再次突然大幅度下降，电流急剧增加、这时的放电现象开始进入电弧放电阶段，如前图中的fg段所示。 二、辉光放电区域的划分 溅射区域选在反常辉光放电区，所以就不讨论电弧放电及 以后的各种现象。 在辉光放电时，整个放电管将呈现明暗相间的光层，从阴 极至阳极之间，整个放电区域可划分为：阿斯顿暗区、阴极辉 光区、阴极暗区、负辉光区、法拉第暗区、正柱(等离子)区、阳 极辉光区和阳极暗区等八个发光强度不同的区域，如下图所示. 右