半导体集成电路_07MOS反相器-MOS晶体管资料简介.pptVIP

MOSFET的导通电阻 源极：载流子（电子）的供给源 漏极：载流子（电子）的排出口 D：漏极 S：源极 G：栅极 B：衬底 D S G 电流IDS 导通电阻：10KW/mm2 S P+ N+ N+ P衬底(Si) G (0~VDD) D B(0V) 电子 电 流 电 流 VDD: 0.25mm的管子为2.5V 0.18mm的管子为1.8V 导通 截至 阈值电压: VTH≒0.2VDD(e.g.0.4V) 0V * MOS晶体管的导通电阻 * 导通电阻是一个非线性电阻，与器件的工作状态有关,平均电阻一般取0.75R0 在非饱和区，导通电阻近似为线性电阻 即Ron=1/gm 导通电阻反比于（W/L)，W每增加一倍，电阻减小一半 D S G 电流IDS * 作业： 1.请画出晶体管的ID-VDS特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。 2.写出考虑沟道调制效应时饱和区电流方程式。 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课