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第二章 硅通孔技术 2.1 引言 硅通孔技术是三维硅集成和三维集成电路集成的核心和最关键的促进技术。硅通孔技术为最小尺寸的芯片互联和最小盘尺寸间距互联提供了技术支持。与传统的引线键合互联相比，硅通孔技术有如下优点：[1-47] 较好的导电性能 低功耗 更广泛的数据带宽因而带宽 更高的密度 外形较小 重量轻 成本低 制作硅通孔需要六个关键的步骤，这正是本章的重点。 通孔的形成通过深层等离子刻蚀或激光开孔 介电层沉积通过热氧化钝化转接板或等离子体增强化学汽化沉积 阻挡层和种子层沉积通过物理气相沉积 电镀铜来填充通孔或化学蒸汽沉积来填充每个小通孔 电镀铜残留物的化学机械抛光 硅通孔显现 总之，成本费用依次为：物理气相沉积，等离子体增强化学汽相沉积，化学机械抛光，电镀铜，深层等离子刻蚀技术。首先简单介绍下硅通孔的发明者。 2.2 硅通孔的发明者和发明时间 硅通孔是50多年前由1956年物理学若贝尔奖得主威廉·肖克利发明。（他还是晶体管的发明者，晶体管被认为是半导体工业最伟大的发明）。1958年10月23日，威廉·肖克利申请了“半导体晶片和制作方法相同”的专利，1962年7月17日他被授予美国专利（专利号3044909）。其中一个硅通孔的样式如图2.1所示，目前的硅通孔技术使半导体世界如此繁荣。从根本上说，这种晶片上的“深孔”（即现在所说的硅通孔）可以是信号从晶片的上表面传递到下表面，反之亦然。硅通孔一词是由sergey savastiouk 提出的，2000年7月在固体技术上对硅通孔行业的见解:摩尔定律—Z维度。 2.3 应用硅通孔技术的大容量产品 对于应用硅通孔技术的大容量商业产品，比如惠普公司的共面砷化镓无线电频率单片式微波集成电路一直在使用通路孔接地技术，但这种技术不是用于三维集成。一般业内认为日本东芝公司采用芯片通孔技术的互补金属氧化物半导体图像传感器是第一个大容量三维集成产品（2008）（如图2.3）。然而，简单地说像惠普公司的单片式微波集成电路也不是三维集成产品。虽然存在一些三维集成电路微电子机械系统集成产品，但容量都很小。 图2.1 硅通孔由威廉·肖克利提出，美国专利号 3044909 申请时间：1958.10.23 图2.2 惠普公司基于集成电路芯片通孔技术的大容量产品（1976） 图2.3 东芝公司基于芯片通孔技术的互补金属化合物半导体图像传感器（这种技术体现了由引线键合到滑移芯片的改变）。 2.4 通孔的形成 2.4.1深层离子刻蚀技术与激光开孔技术 目前制作硅通孔的方法不少于两种。一种是激光钻孔，另一种就是深层离子刻蚀。激光钻孔是单点操作，对于制作每个芯片上的少数量的通孔这种方法效益好。深层离子刻蚀需在整个晶片上进行操作，因此这种方法较适用于多数量的通孔制作。激光的种类不同，硅通孔的直径和深度是有限的【对于二氧化碳激光，通孔上部直径为65微米下部直径为25微米，深度为90微米；对于紫外线激光，通孔上部直径为50微米下部直径为25微米，深度为125微米；对于准分子激光，通孔上部的尺寸为18微米下不尺寸为12微米，深度为35微米】. 另一方面，深层离子刻蚀技术可以使硅通孔的直径和间距分别减小到1微米和5微米。具有应用潜力的硅通孔尺寸范围为：5微米≦硅通孔直径≦20微米≦通孔深度。同时应该指出的是利用激光钻孔形成的通孔表面非常粗糙，如图2.4.。为了得到平滑的孔壁需要进行化学抛光，这将增加制造程序和成本。本书仅仅讨论深层离子刻蚀技术。 图2.4 激光制作的硅通孔，俯视图和剖面视图。孔壁具有明显的粗糙度。 在具有应用潜力的硅通孔三维集成中，钝化层，转接板和芯片的尺寸范围为50微米到200微米，堆叠记忆芯片的尺寸范围为20微米到50微米。因此所有的硅通孔都是盲孔，与此同时大部分硅通孔的厚度和直径的比值至少为2甚至可以达到50 或更大。 根据文献，超过百分之九十五的通孔已经采用深层离子刻蚀技术来制作，这种技术是一种各向异性刻蚀过程。硅通孔的形成可以利用电感耦合等离子体技术，…………..。尽管电感耦合等离子体主要用于硅的深反应离子刻蚀，其刻蚀硅的基理是有一个特别设计的转换刻蚀和钝化过程，即剥蚀过程，这种技术也可以用在离子反应刻蚀模式，被称为非剥蚀过程。 博世公司的科学家已发明了一种改进方法来进一步提高对深层离子刻蚀的控制。波希法不是依赖于等离子刻蚀和聚合物钝化之间的平衡，而是采用了可转换的刻蚀和钝化，如图2.6和2.7。钝化是由掺杂聚合物的沉积实现，是从原料气中分离出来的。后续过程是采用了和离子的反应离子刻蚀过程，由于离子撞击方向刻蚀的影响刻蚀沟低端的聚合物被清除。每种沉积或刻蚀过程的正常循环时间为几秒钟。 图2.5 The SPTS DRIE chamber 图2.6 TSV深层离子反应刻蚀。 用于硅