复旦集成电路工艺课件-05.pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 2、Reducing resolution factor k1 Minimum feature size EUV 2011 2009 2007 2005 2003 Production ~21 ~ 55 32 nm ~39 ~80 105 110 Half pitch [nm] ~16 ~30 42 60 LG [nm] 22 nm 45 nm 65 nm 90 nm Technology Node l=193 nm l=193 nm immersion 193 nm immersion with higher n? pitch LG P. Bai, et. al., IEDM2005 INFO130024.02 集成电路工艺原理 第四章 光刻原理 (下) 上节课主要内容 基于衍射理论的光刻原理 投影式（远场衍射）：分辨率、焦深、MTF、不相干度S 接触/接近式（近场衍射）:最小尺寸 光刻胶：正胶/负胶 光刻胶的组成 i线/g线（PAC） DUV（PAG） 掩模版制作 光刻机工作模式： 接触式，接近式，投影式（扫描式，步进式，步进扫描式） 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章