1N5819失效的2013718详解.ppt

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1N5819失效的2013718详解

行有不得 ,反求诸己。 1N5819失效分析 二极管桥堆事业部品质部 2013-7-19 目录 * 问题描述 失效分析 原因分析 改善对策 问题描述 * 1.客户反馈净水器自投入市场使用后,D2 1N5819反向击穿的现象持续有 发生 通过确认客户的失效图片,D2旁的U1有焦色;平均每月2台(约100ppm)     问题描述 * 2.客户维修清单 失效分析 * 器件剪短并弯脚且焊接 印字正常 1.封装检查: 1.1 外观检查本体正常,印字正常 1.2焊接检查 X-Ray下检查焊接正常,去环氧后焊接无挂锡,但晶粒边缘有烧伤点 总结:以上分析说明1N5819封装正常无问题 失效分析 * X-Ray检查正常 焊接无挂锡,但晶粒边缘有烧伤 失效分析 * 2.晶粒检查; 去焊锡后,晶粒击穿 去焊锡后,晶粒击穿烧伤 击穿点局部放大 原因分析 1.产生原因的验证 针对1N5819 VR低,做了如下HTRB实验;在 Ta: 150℃/48H/ VR: 32V的 条件 下有1PCS失效,FA后与客户抱怨模式相似,实验如下: 实验的失效品FA图片: 总结:以上说明,器件失效可能是高温下工作或过压工作导致的反向热击穿 * 次序 试验时间 实验条件 实验数量 实验结果 1# 2013-2-6~2013-2-8 Ta:125℃/24H/VR:32V 22 0/22 2# 2013-2-6~2013-2-9 Ta:125℃/48H/VR:32V 22 0/22 3# 2013-2-6~2013-2-11 Ta:125℃/96H/VR:32V 22 0/22 4# 2013-2-17~2013-2-19 Ta:150℃/48H/VR:32V 22 1/22      实验失效品,FA后晶粒反向击穿  HTRB实验标准 原因分析 2.1N5819所在线路 2.1产客户提供的样品,更换OK的1N5819后,样机加10欧的负载,加36V的电压 测试1N5819的 工作参数,测得1N5819工作电压为39.6V,已经应用到产品 规格的上限;线路设计时,一般利用器件规格电压的80% *     测试线接法 测试的整体图片 通过1N5819的正向电流与工作电压  2.2查询客户所用LM2575的美国国半的使用建议,接出的二极管参数选择为: 额定电流要在1.2A以上,额定电压应大于1.25*36V=45V;查询1N5819的 参数为:IF 1A;VR 40V 总结:以上说明,整机正常工作时D2位置需使用 40V的电压,为1N5819 100%VR; 判断 1N5819不能完全满足线路要求   LM2575的简介 LM2575使用时建议接出二极管的参数要求 原因分析 * 改善对策 建议从以下方面做改善: 整机D2位置更换为额定电压更高的SB160, 1N5819与SB160 的参数比对如下: * Parameter Symbols 1N5819 SB160 Units Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 40 60 V Maximum RMS voltage VRMS 28 42 V Maximum DC blocking voltage VDC 40 60 V Maximum average forward rectified current 0.375(9.5mm) lead length IF(AV) IF(AV)=1 @TL=90℃ IF(AV)=1 @TL=100℃ A Peak forward surge current,8.3mS single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 25 40 A Maximum instantaneous forward voltage at 1.0 VF 0.600 0.700 V Maximum average reverse current at rated DC blocking voltage TA=25℃ IR 1.0 0.5 mA TA=100℃ 10.0 10.0 QA * * * * 行有不得 ,反求诸己。 * * * *

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