第6章化合物半导体.pptVIP

　　Ⅲ一V族化合物半导体的离子键成分与其组成的Ⅲ族和V族原子的电负性之差有关。两者差越大，离子键成分就越大，而共价键成分就越小。 　　例如，GaP的Ga原子的电负性是1.6，P原子电负性是2.1，它们相差0.5。由课本的化合物原子电负性差与离子键的成分关系图（图6—2）可查出相对应的离子键成分为7.5％，也就是说GaP中共价键成分可能是92.5％。 　　但GaP为闪锌矿型，最靠近Ga原子的P原子共有四个，而Ga原子的价电子只有3个，所以Ga原子只能和3个P原子形成共价键，因此从整个晶体来考虑，共价键成分应等于92.5×3／4=71％，所以离子键成分占29％。 　　纤维锌矿结构为：六方晶系、六角密堆积结构，离子键起主要作用。 Ⅲ一V族化合物半导体的能带结构 重要概念：　　 直接跃迁: 如果在能量转移过程中，电子的动量保持一定，电子可从导带直接跃迁到价带而发出光，这就称为直接跃迁。 间接跃迁: 如果电子与空穴结合必须改变其动量，则跃迁较困难且用光、热的方式将能量散出，这就称为间接跃迁。 半导体的导带的最低能量状态和价带的最高能量状态不在 k 空间 (动量)的同一位置，这种结构称为间接跃迁型，半导体为“间接带隙半导体”。　 在同一位置的半导体称为直接跃迁型，半导体称为“直接带隙半导体”。 (1) GAs的导带极小值和价带极大值都在k=0，而Ge、Si的价带极大值虽在波矢k=0处，但它们的导带极小值却不在k=0，即它们的导带极小值和价带极大值所处的是值不同。 　因为半导体发光时要求有电子跃迁；而一般的电子跃迁又要求动量守恒，即电子必须在 k 空间 (动量) 的同一位置跳跃，所以间接带隙半导体一般不能用作发光材料。 Ⅲ一V族化合物半导体的能带结构 (2)在GaAs(100)方向上具有双能谷能带结构，即除k=0处有极小值外，在(100)方向边缘上存在着另一个比中心极小值仅高0.36eV的导带极小值，称为X极小值（参见课本图6－3）。因此电子具有主、次两个能谷。　 　在室温下，电子处在主能谷中，因为在室温时电子从晶体那里得到的能量只有0.025eV，很难跃迁到X处导带能谷中去。 　电子在主能谷中有效质量较小(m=0.07m0)，迁移率大；而在次能谷中，有效质量大(m=1.2m0)，迁移率小，但状态密度比主能谷大。 　　当外电场超过一定值时，电子可由迁移率大的主能谷转移到迁移率较小的次能谷，而出现电场增大电流减小的负阻现象，这是制作体效应微波二极管的基础。 Ⅲ一V族化合物半导体的能带结构 (3)GaAs在300K时的禁带宽度Eg＝1.43eV。因为晶体管工作温度上限与材料的Eg成正比的，所以用GaAs做晶体管，可以在450℃以下工作。硅为1.1eV， GaAs工作温度可以比硅高。 除此以外， GaAs具有比Si大得多的电子迁移率，这对提高晶体管的高频性能是有利的。 半导体材料 第六章　III－V族化合物半导体 一、重要 III－V族化合物半导体介绍 二、 III－V族化合物半导体的晶体结构 三、III－V族化合物半导体的能带结构 III一V族化合物半导体是由周期表中IIIA和VA族元素化合而成。 几乎在与锗、硅等第一代元素半导体材料的发展和研究的同时，科学工作者对化合物半导体材料也开始了大量的探索工作。 　　1952年Welker等人发现Ⅲ族和Ⅴ族元素形成的化合物也是半导体，而且某些化合物半导体如GaAs、InP等具有Ge、Si所不具备的优越特性(如电子迁移率高、禁带宽度大等等)，可以在微波及光电器件领域有广泛的应用，因而开始引起人们对化合物半导体材料的广泛注意。 　　但是，由于这些化合物中含有易挥发的Ⅴ族元素，材料的制备远比Ge、Si等困难。到50年代末，科学工作者应用水平布里奇曼法(HB)、温度梯度法(GF)和磁耦合提拉法生长出了GaAs、InP单晶，但由于晶体太小不适于大规模的研究。 　　1962年Metz等人提出可以用液封直拉法(LEC)来制备化合物半导体晶体，1965~1968年Mullin等人第一次用三氧化二硼(B2O3)做液封剂，用LEC法生长了GaAs、InP等单晶材料，为以后生长大直径、高质量Ⅲ-Ⅴ族单晶打下了基础。 化合物半导体材料砷化镓 砷化镓是化合物半导体中最重要、用途最广泛的半导体材料，也是目前研究得最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。 优点： 砷化镓具有电子迁移率高（是硅的5-6倍）、 禁带宽度大（它为1.43eV， 硅为1.1eV），工作温度可以比硅高 为直接带隙，光电特性好，可作发光与激光器件 容易制成半绝缘材料（电阻率107-109Ωcm）， 本征载流子浓度低 耐热、抗辐射性能好 对磁场敏感 易拉制出单晶 　　砷化镓是由金属镓与半金属砷按原子比1:1化合而成的金属间