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2016-08-09 发布于湖北
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mosfet管导通过程技术报告.ppt

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MOSFET管开关过程分析 MOSFET管在H桥中 MOSFET管特性曲线　三极管有三个工作区：截止区、放大区和饱和区，MOSFET对应是关断区、恒流区和可变电阻区。注意：MOSFET恒流区有时也称饱和区或放大区。 MOSFET管导通过程开关过程中，功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。 MOSFET管导通过程当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时，Vgs的电压逐渐升高时，MOSFET的开通轨迹A-B-C-D如图中的路线所示。 MOSFET管导通过程开通前，Vgd的电压为Vgs-Vds，为负压。进入米勒平台，Vgd的负电压绝对值不断下降，过0后转为正电压。驱动电路的电流绝大部分流过CGD，以扫除米勒电容的电荷，因此栅极的电压基本维持不变。 Vds电压降低到很低的值后，米勒电容的电荷基本上被扫除，即图中的C点，于是，栅极的电压在驱动电流的充电下又开始升高，如图中的C-D，使MOSFET进一步完全导通。 MOSFET管导通过程 C-D为可变电阻区，相应的Vgs电压对应着一定的Vds电压。Vgs电压达到最大值，Vds电压达到最小值，由于Id电流为ID恒定，因此Vds的电压即为ID和MOSFET的导通电阻的乘积。 MOSFET管导通过程给功率MOSFET加上理想开通信号，则开通过程关键波形如左图所示，关断过程如右图所示。 MOSFET管导通过程功率MOSFET硬开关过程中开关损耗大，开通时主要发生在t1～ t3期间，关断时主要发生在t3～t4。期间，且随着开关频率的提高而线性增长。 17.6% 7.3% 16.1% 58.8% 占总损耗比例不同参数对启动过程的影响 IR2101 MOSFET专用驱动芯片自举电容，改善开启性能又起到隔离的作用 Thank you！ * *