光电子能谱与俄歇电子能谱分解.ppt

与XPS相比，俄歇电子能谱虽然存在能量分辨率较低的缺点，但却具有XPS难以达到的微区分析优点。 以上几种分析方法都可进行点、线、面分析。 点分析可以给出电子束束斑大小范围内表面元素的组成，并可根据谱峰的形状变化来判晰有无化学位移，了解其相应的化学状态。 通过分析器的能量值固定于某种元素的俄歇峰时，使入射电子束沿试样表面作一维(线)或二维（面）扫描时，便可得到该元素在表面沿该线或扫描区城内的分布图像，二维的面分布常称俄歇图。 Auger电子谱的二维成分分析 Auger电子谱的二维成分分析 AugerAuger电子谱的一维成分分析 成分深度分布分析 三、 俄歇电子能谱分析的应用 俄歇电子能谱法是材料科学研究和材料分析的有力工具，它具有如下特点： 1）作为固体表面分析法，其信息深度取决于俄歇电子逸出深度（电子平均自由程）。对于能量为50eV-2keV范围内的俄歇电子，逸出深度为0.4-2nm，深度分辨率约为l nm,，横向分辨率取决于入射束斑大小。 2）可分析除H、He以外的各种元素。 3）对于轻元素C、O、N、S、P等有较高的分析灵敏度。 4）可进行成分的深度剖析或薄膜及界面分析。 在材料科学研究中，俄歇电子能谱的应用有： 1）材料表面偏析、表面杂质分布、晶界元素分析； 2）金属、半导体、复