第7章半导体存储器学案.ppt

　　PGM和PGM为编程信号，编程时，PGM接收宽度为50～55 ms、幅值为5 V的正脉冲，PGM接收宽度为50～55 ms、幅值为5V的负脉冲；  　　VPP为编程电压，在编程写入时，VPP=+25V，在正常读出时，VPP =+5 V； 　　VCC为工作电压，接+5V；  　GND为地。 图7.2.7 Intel 27XX系列EPROM芯片的引脚排列 表7.2.3 Intel 2716在不同工作方式下相应引脚的状态 　　2. 电擦除可编程只读存储器（E2PROM） 　　E2PROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）的主要特点是既可以在线改写，又能在断电情况下保存数据，也是采用浮栅编程原理。它的存储单元采用Flotox（Floating gate tunned oxide）管[CD*2]浮栅隧道氧化层MOS管，图7.2.8所示为Flotox管的结构示意、 图形符号及其构成的存储单元。图7.2.8（c）中，V1为Flotox管，V2为选通管。 图7.2.8 Flotox管及其存储单元 （a） 结构示意； (b) 图形符号； （c） 存储单元 　　Flotox管与SIMOS管相似，也是由浮栅上有无负电荷决定存储1或0。不同之处仅在于Flotox管的浮栅与漏极之间有一层很薄的氧化层区域，其厚度在2