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第四章：离子注入技术 问题的提出： 短沟道的形成？ GaAs等化合物半导体？（低温掺杂） 低表面浓度？ 浅结？ 纵向均匀分布或可控分布？ 大面积均匀掺杂？ 高纯或多离子掺杂？ 要求掌握： 基本工艺流程（原理和工艺控制参数） 选择性掺杂的掩蔽膜（Mask） 质量控制和检测 后退火工艺的目的与方法 沟道效应 在器件工艺中的各种主要应用 离子注入技术的优缺点 剂量和射程在注入工艺中的重要性 离子注入系统的主要子系统 CMOS Structure with Doped Regions Ion Implant in Process Flow 4.1. 离子注入原理 4.1.1. 物理原理(P.101-110) 通过改变高能离子的能量，控制注入离子在靶材料中的位置。 重离子在材料中与靶原子的碰撞是“弹性”库仑散射 级联散射 Energy Loss of an Implanted Dopant Atom 能量损失： 散射路径R，靶材料密度?，阻止本领S 能量损失(P.106~107) 注入离子的分布N（x）（无电子散射） 注入剂量?0（atom/cm-2），射程：Rp 标准偏差?Rp 对于无定型材料， 有： 为高斯分布 平均射程 多能量、多剂量注入 4.1.2. 设备（101） Analyzing Magnet 4.2. 沟道效应和卢瑟福背散射 6. 2. 1.沟道效应（pages 110-111） 沟道效应的消除(临界角） Fig. 5.12 4. 2. 2.卢瑟福背散射RBS-C 作用？P。112，。。。 4.3. 注入离子的激活与辐照损伤的消除 P.112~116 1）注入离子未处于替位位置 2）晶格原子被撞离格点 Ea为原子的位移阈能 Annealing of Silicon Crystal 1）激活率(成活率)（%） Si：P、B?100%，As ?50% 2）临界通量?C(cm-2) (Fig5.13) 与注入离子种类、大小，能量有关 与注入时的衬底温度有关 3）退火后的杂质再分布（P。117） 4）退火方式：“慢退火”，快速热退火 分步退火 5）退火完成的指标：电阻率、迁移率、少子寿命 4.4.离子注入工艺中的一些问题 1。离子源：汽化?高压电离 多价问题 分子态—原子态问题 （产额问题） 2。选择性掺杂的掩膜 SiO2、Si3N4、光刻胶、各种金属膜 P离子注入 有掩膜时的注入杂质分布 Controlling Dopant Concentration and Depth 3。遮挡(注入阴影效应Implant Shadowing)（P119） 4. 硅片充电 Electron Shower for Wafer Charging Control Plasma Flood to Control Wafer Charging 4.5.离子注入工艺的应用 1。掺杂（P。115） 2。浅结形成（Shallow Junction Formation, p116) 3。埋层介质膜的形成(page 116) 如：注氧隔离工艺（SIMOX） （Separation by Implanted Oxygen) 4。吸杂工艺 如：等离子体注入（PIII）吸杂工艺 （Plasma Immersion Ion Implantation） 5。Smart Cut for SOI 6。聚焦离子束技术 7。其它（如：离子束表面处理） Buried Implanted Layer Retrograde Well Punchthrough Stop Implant for Threshold Voltage Adjustment Source-Drain Formations Dopant Implant on Vertical Sidewalls of Trench Capacitor Ultra-Shallow Junctions CMOS Transistors with and without SIMOX Buried Oxide Layer Dose Versus Energy Map 4.6.离子注入工艺特点（与扩散比较） 总体优于扩散，在当代IC制造中，已基本取代扩散掺杂。 1。杂质总量可控 2。大面积均匀 3。深度及分布可控 4。低温工艺（一般67