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电力电子技术模拟试题二 一、填空题 每小题1分，共14分 1.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH。 2.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。 3.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM________UBO。 4.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于________，设U2为相电压有效值。 5.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。 6.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。 7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。 8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。 9.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10.180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。 11.改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。 12.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。 13.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。 14.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 二、单项选择题 每小题1分，共16分。从每小题的四个备选选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题干后面的括号内。 15.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止 16.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成 A.大功率三极管 B.逆阻型晶闸管 C.双向晶闸管 D.可关断晶闸管 17.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是 A.干扰信号 B.触发电压信号 C.触发电流信号 D.干扰信号和触发信号 18.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在 A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 19.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是 A.90° B.120° C.150° D.180° 20.单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为 A. U2 B. U2 C.2U2 D. U2 21.单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为 A. U2 B.2U2 C. U2 D. U2 22.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是 A.0°～90° B.0°～180° C.90°～180° D.180°～360° 23.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ A.π-α B.π+α C.π-δ-α D.π+δ-α? 24.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关 A.α、负载电流Id以及变压器漏抗XC B.α以及负载电流Id C.α和U2 D.α、U2以及变压器漏抗XC 25.三相半波可控整流电路的自然换相点是 A.交流相电压的过零点 B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60° 26.可在第一和第四象限工作的变流电路是 A.三相半波可控变电流电路 B.单相半控桥 C.接有续流二极管的三相半控桥 D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路 27.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是 A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 28.若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是 A.增大三角波幅度 B.增大三角波频率 C.增大正弦调制波频率 D.增大正弦调制波幅度 29.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为 A.减小输出幅值 B.增大输出幅值 C.减小输出谐波 D.减小输出功率 30.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是 A.电容 B.电感 C.蓄电池 D.电动机 三、简答题 每小题5分，共30分 31.直流电动机负载单相全控桥整流电路中，串接平波电抗器的意义是什么?平波电抗器电感量的选择原则是什么? 32.将下列表格中空缺的部分按要求填好。变压器二次相电压U2对于电感负载满足大电感负载的条件。 33.如图为三相全控桥同步相控触发系统框图，试回答： 1 该触发系统采用哪种控制方式? 2 图中的1A、1B、1C、F、E以及1D～6D的电路名称是什么? 34.如图