第三章半导体光电器件重点.pptVIP

1）光伏探测器加电压使用时，光电结必须加反向电压，即P端与外电源的低电位相接。 2）使用时对入射光强范围的选择应视用途而定。 用于开关电路或逻辑电路时光照可以强些。 用于模拟量测量时，光照不宜过强。因为光照弱些，负载电阻小些，加反偏压使用时，光电线性好，反之则差。 3.2.4光伏探测器使用要点 3）?结型器件的响应速度都很快。 4）器件的各种参量差不多都与温度有关，但其中受温度影响最大的是暗电流。除了温度变化，背景光、光反馈、电、磁场干扰可引起电路发生误动作，应设法消除。 本章重点 光敏电阻的工作原理 光敏电阻的特性 光电池特性 光电二极管的工作特性 本章作业 叙述光敏电阻的工作原理。 简述光敏电阻的光照特性及响应特性。 简述光敏电阻的前历效应分类及原理。 详述光电池的工作特性。 光电二极管的特性参数分别是什么？并详述。 * * * * * * * * * * * * * 2 * * * * 3.2.1概述 利用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光伏器件，也称结型光电器件(光敏电阻为匀质型)。 常见的光伏器件：光电池、 光电二极管、 光电晶体管、光电场效应管、PIN管、雪崩光电二极管 和光电导探测器不同，光伏探测器的工作特性要复杂一些。通常有光电池和光电二极管之分，也就是说，光伏探测器有着不同的工作模式。 3.2.2光电池 一、概述 二、符号、连接电路、等效电路 三、光电池的特性参数 一、概述 光电池的基本结构就是一个PN结（零偏状态）。 按材料分，有硅、硒、硫化镉、砷化镓和无定型材料的光电池等。按结构分，有同质结和异质结光电池等。 光电池中最典型的是同质结硅光电池。 国产同质结硅光电池因衬底材料导电类型不同而分成2CR系列和2DR系列两种。 2CR系列硅光电池是以N型硅为衬底，P型硅为受光面的光电池。受光面上的电极称为前极或上电极，为了减少遮光，前极多作成梳状。衬底方面的电极称为后极或下电极。 为了减少反射光，增加透射光，一般都在受光面上涂有SiO2或MgF2，Si3N4，SiO2－MgF2等材料的防反射膜，同时也可以起到防潮，防腐蚀的保护作用。 N（P） P（Si） P（B） N（Si） 上电极（前极） 下电极（后极） （a）2DR （b）2CR 目前最受重视的是硅光电池与硒光电池。 硅光电池：硅光电池具有性能稳定，寿命长，光谱响应范围宽，频率特性好和能耐高温等优点。因此硅光电池在光度学、辐射测量、光学精密计量和测试及激光参数测量等方面得到了广泛应用。 硒光电池：光谱响应曲线和人眼的光谱光视效率曲线的形状很相似，其光谱响应峰值波长与人眼的光谱光视效率的峰值相重合，且硒光电池价廉，因而在一些与人眼视觉有关系的光学器件中，在测量与控制应用中，多用硒光电池。但应指出，硒光电池稳定性很差。 硅光电池:它是在N型硅片上扩散硼形成P型层，并用电极引线把P型和N型层引出，形成正负电极。SiO2为防止表面反射光，提高转换效率。 - + R L P N 防反射膜 (SiO 2 ) p n + - SiO 2 PN 结 硅光电池结构示意 二、符号、连接电路、等效电路 光电池等效为一个普通晶体二极管和一个恒流源（光电流源）的并联。 I 光电流 Ij普通二极管的结电流 I U RL U RL Ip Ij 符号 连接电路 等效电路 三、光电池的特性参数 伏安特性 光照特性（光电特性） 光谱特性 频率特性 温度特性 伏安特性 输出电流和电压和负载电阻的变化曲线。 二极管的伏安特性 由等效电路图可知 暗电流：当光通量为零时，是光电池加反向偏压后出现的暗电流 a、当光电池短路时，即U=0，则 此时I称为短路电流，用 表示。值得注意的是短路电流等于光电流，且与入射光照呈线性关系。 b、当光电池开路时，即I=0, 时，则 此时U称为开路电压，用 表示。 U Ip Ij RL I 光照特性 硅光电池光照特性 硅光电池光照特性与负载电阻的关系 定义： 硅光电池光照特性是指光生电动势（开路电压）、光电流、与照度之间的关系。 性质： 1、光生电动势（开路电压）、与照度呈非线性关系 2、光电流与照度之间呈线性的关系 3、光照特性与负载大小关系：E相同，负载增大，光电流变小，光照特性的线性区也变小。 光谱特性 光谱特性主要取决于所用材料与制作工艺（如结的深浅），也与使用温度有关。 １、硒光电池与人眼特性很接近 ２、硅蓝光电池的结深比较浅，ＰＮ结距受光面很近，减少了短波长的光在透过受光表面时的吸收损耗，提高了短波长到达ＰＮ结的几率。 频率特性 当光照射光电池时，由于载流子在PN结区内扩