第六章外延生长重点.pptVIP

* 第六章 外延生长 （Epitaxial Growth） 外延生长（Epitaxial Growth）工艺 ■ ? 概述 ■ ? 气相外延生长的热动力学 ■ ? 外延层的掺杂与缺陷 ■ ? 硅气相外延工艺 ■ ? 小结 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第14章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 外延层 界面 衬底 一、概述 按衬底晶相延伸生长的新生单晶薄层—— 外延层。 长了外延层的衬底 —— 外延片。 ? 同质外延： ? 异质外延： ■ 掺入杂质可改变外延 层的电学特性。 ■ 交替生长不同的外延 层可制作超晶格结构。 1、外延工艺的定义： 在单晶衬底上生长单晶薄膜的技术。 2、 外延工艺的分类： (1) 按材料 三种外延工艺的示意图 (2) 按晶格畸变程度 a.? 气相外延工艺（Vpor-Phase Epitaxy） b.? 液相外延工艺（Liquid-Phase Epitaxy） 超高真空蒸发 3、 外延层的作用：独立控制薄膜晶体结构（组分）、厚度、 杂质种类及掺杂分布 (1) 双极工艺：器件隔离、解决集电极高击穿电压与串连电阻的矛盾 (2) CMOS工艺：减小闩锁（Latch-up）效应 (3) GaAs工艺：形成特定的器件结构层 (4) 其他：制作发光二极管、量子效应器件等 d.?