晶体三极管的结构特性与参数.docVIP

一、三极管的结构类型与工作原理 　　半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT 。它由2个背靠背的PN结组成，分为 NPN型、PNP型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。 　　NPN型三极管：c：collector 集电极；b：base 基极；e：emitter 发射极 　　采用平面管制造工艺，在N＋型底层上形成两个PN结。 　　工艺特点：三个区，二个结，引出三根电极杂质浓度(e区掺杂浓度最高，b区较高，c 区最低)；面积大小( c区最大， e区大， b区窄)。 　　PNP型三极管：在P＋型底层上形成两个PN结。 　　NPN管的工作原理：为使NPN管正常放大时的条件：射结正偏(VBE＞0)，集电结反偏(VCB＞0)。 　　发射区向基区大量发射电子(多子)， 进入基区的电子成为基区的少子，其中小部分与基区的多子( 空穴)复合，形成IB电流，绝大部分继续向集电结扩散并达到集电结边缘。 因集电结反偏，这些少子将非常容易漂移到集电区，形成集电集电流的一部分ICN。 而基区和集电区本身的少子也要漂移到对方，形成反向饱和电流ICBO。 　，， 晶体管的四种工作状态： 　1、发射结正偏，集电结反偏：放大工作状态 用在模拟电子电路 　2、发射结反偏，集电结反偏：截止工作状态 　3、发射结正偏，集电结正偏：饱和工作状态 用在开关电路中 　4、发射结反偏，集电结正偏：倒