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模电期末考试时间：6月29日 8:00~10:00 考试内容：第一章～第八章； 考试重点：第三、五、七、八章； 题 型：①填空题(20%)，②单选题(40%)， ③计算分析题(40%)。 期末考试成绩占总成绩比例：70% 模电课总复习 请每位同学考试前确认自己的选课号及考试教室！ 本人办公室：(三) 414 第一章 半导体基本器件及应用 1) PN结方程 2) 二极管特性及应用 3) PN结的反向击穿及应用 D1 D2 R V1 V2 A B DZ R1 Vi + ? IZ RL 典型试题： 第二章双极型晶体管(BJT) 1) BJT基本特性； 2) BJT晶体管类型判别； 3) BJT正常工作状态判别。 典型试题： V1 V2 V3 1) 已知管脚电位判别晶体管类型； 2) 已知管脚电位和晶体管类型判 别晶体管的工作状态。 第三章 BJT放大器基础 1) 放大器的等效电路； 2) 晶体管的静态工作点估算； 3) 图解分析法(DCL、ACL)； 4) CE、CC、CB三种基本放大电路的交流计算； 5) 两级阻容耦合放大电路的AV , Ri , RO估算。 考试重点： 1) 放大器的直流静态工作点估算； 2) CE 、CC、CB电路的AV , Ri , RO估算。 重点掌握三种基本放大电路的静态与动态分析 vo + - + vi R2 RC C1 C2 RL R1 CB - VCC RE + vi R1 RC C1 C2 RL vo R2 RE CE + - - +VCC RL R1 - + - + C1 C2 vi +VCC vo R2 RE + vi R1 RC C1 C2 RL vo R2 RE + - - +VCC 1K 6.2K 8.2K 18V 由微变等效电路 当rbe (1+b)RE1 , 且(1+b)≈b时 21级试题: 如下电路已知硅管的b=100, 且rbe(1+b)RE 。 设AV = -10, 且Q点位于直流负载线中点。 求R1、RE 。 解：1)求RE 2)求R1 + vi R1 RC C1 C2 RL vo R2 RE + - - +VCC 1K 6.2K 8.2K 18V 由题意: Q点位于直流负载线中点 。 即: VCE =VCC - (RC+RE)IC = VCC/2 = 9V R1 RC R2 RE 1K 8.2K +18V 353W VB VCE + - VB =VBE+VRE= 0.7+0.37 = 1.07V 第四章 FET及基本放大器 1) JFET和MOSFET的电路符号与基本特性； 2) 耗尽型FET及漏电流公式； 3) 跨导gm的定义与计算； 4) CS(耗尽型FET)电路的交流计算； 3) 跨导gm反映了栅压对漏极电流的控制能力，是转移 特 性曲线上静态工作点的斜率。 关键词： 1). FET是一种电压控制器件，其模型具有VCCS特性。 2) JFET的rGS是反向PN结的交流等效电阻; MOSFET 的rGS是栅极SiO2层的交流等效电阻。 D S G RD RS CS R1 RG - + vi - + vo R2 +VDD C1 C2 RL 典型CS(耗尽型FET) 电路分析 直流分析： 交流分析： 第五章 模拟集成单元电路 1) 电流源电路输出电流的计算； 2) 差动放大器的抑制温漂原理； 3) 双端输出差动放大器的静态与动态分析； 4) 单端输出差动放大器的AVd和KCMR的计算； 5) OCL与OTL电路的最大输出功率计算。 +VCC RL R IR IC2 T1 T2 vi RL vO +VCC ? ? + + IC VO 21级试题: 电路如图,电位器RW滑动端位于中点, 已知 BJT的b = 50, rbb = 300W 。vi1=16mV, vi2=10mV。 试求vo的交流分量和KCMR。 vo +VCC RE RC T1 15K RC T2 朧EE RL + RW vi1 vi2 ? 15K 10K 100W