第五章磁各向异性2技术分析.ppt

磁晶各向异性与磁致伸缩 由右图看到若c/a 的比率为理想值，并且将一个参考离子下面的三个最近邻离子绕C 轴转600(虚三角形所示)，则该参考离子及其邻近原子将具有面心立方对称性，所以不会产生单轴各向异性。但是若晶格沿着C轴被压缩，邻近的+3离子将从上、下接近参考离子的电子云，这样将吸引电子云，因此J 被迫平行于C-平面。 再看Tb-Gd稀土合金，Gd有7个4f 电子，L=0 相应就不存在大的磁晶各向异性，但是因为 S=7/2 所以交换相互作用非常大。当在Gd中掺入1.8%的Tb，从转矩曲线看到其振幅增加了五倍，这巨大的各向异性耒源于Tb。 对于4f电子的数目增加，磁量子数m=3,2,1,0,-1,-2,-3,但电子云的形状与m的正负无关。m=0的电子云沿C轴延伸，使C轴成为易轴。因为L=0总的电子云变成球形。4f电子云的形状对分析各向异性是很有意义的。 单离子模型小结 晶体的宏观磁晶各向异性能是磁性离子的微观磁晶各向异性能的统计平均。 宏观自由能密度为F, 磁性离子微观能量为Ej( ?i)。 关键是求Ej(?i) 根据量子力学原理，计算单个磁性离子的微观各向异性能Ej(?i) ，需求解薛定谔方程： , ?ψ = Eψ 因此要确定基态波函数?和哈密顿量?。 1、3d磁性离子：由于?c ?sL和 ?ex。晶场作用下，3d磁性离子能级劈裂， 则用晶场基态波函数?(二重态时为???)。 哈密顿量用 ?=?ex+?sL 2、4f磁性离子：由于 ?sL ?c和 ?ex。对于4f自由离子的本征态(由?0+ ?el+ ?sL 决定)，总角动量J就是好量子数，自由离子的基态波函数可用|J，MJ。 哈密顿量用 ? =?c+?ex ? } (求解久期方程) 磁晶各向异性的温度依赖性 磁晶各向异性是由自发磁化强度和晶格之间的相互作用产生的，因而自发磁化强度的温度关系将导致磁晶各向异性的温度变化。实际上磁晶各向异性对温度的依赖性比自发磁化强度对温度的依赖强的多。在材料中局域自旋的方向余弦( ?1,?2,?3 )并不同于总自发磁化强度的方向余弦( ?1,?2,?3 )，它们的差别随温度的升高而增加。温度为T的立方各向异性为： 在? ?为所有自旋簇的角函数的平均值，在 ? ?，角函数的幂越高，函数? ?随着温度升高降得越快。根据对次幂函数的精确计算得到 对于单轴各向异性 n=2 对于立方各向异性 n=4 此外，晶格的热膨胀，磁性原子电子态的热激发，化合价态的温度依赖性等，都会影响磁各向异性。 铁磁性物质的形状在磁化过程中发生形变的現象，叫磁致伸缩。由磁致伸缩导致的形变?l / l 一般比较小，其范围在10-5?10-6之间。虽然磁致伸缩引起的形变比较小，但它在控制磁畴结构和技术磁化过程中，仍是一个很重要的因素。 应变?l /l 随外磁场增加而变化，最终达到饱和? 。产生这种行为的原因是材料中磁畴在外场作用下的变化过程。每个磁畴内的晶格沿磁畴的磁化强度方向自发的形变e 。且应变轴随着磁畴磁化强度的转动而转动，从而导致样品整体上的形变。 式中：e 为磁化饱和时的形变， ? 覌察方向(测试方向)与磁化强度方向之间的夹角。 H 四、磁致伸缩 在退磁状态，磁畴磁化强度的方向是随机分布，其平均形变为 饱和状态时 则饱和磁致伸缩为 这样在磁畴中的自发应变可以用? 表示： 因子3/2经常出现在公式中，是因为?定义为相对于退磁状态的形变。 以上的讨论是假设自发形变3?/2是一个常数，与自发磁化强度的晶体学方向无关。这种性质的磁致伸缩被称为各向同性磁致伸缩(Isotropic magnetostriction)。 各向同性的磁致伸缩的伸长量是随磁化强度的大小而改变。以Co为例，钴是六角晶系，C-轴为易磁化轴。磁化是通过1800畴壁位移来完成的。假设磁场方向与C-轴的夹角为?，位移完成的磁化强度I =Iscos? 。 , 在磁场比较小时，畴壁位移完成，但是磁化强度方向仍然在易轴C方向，因而没有磁致伸长。在高磁场下，磁化强度向外场方向转动，此时伸长量变化 显然，当?=0时，?( ?l /l )=0;也就是说，在易轴方向加磁场，从退磁状态到饱和状态样品的长度没有变化。如果磁场H与易轴垂直?=?/2,则?( ?l/l )=3/2 ?。?从0到?/2 时，见右图，不同角度?,?l/l –I/Is的变化曲线都不一样。 对于K10的立方晶体，在退磁状态下，每个磁畴的磁化强度方向平行于?100?方向中的一个方向，因此平均伸长为( ?l /l )dem=?/2,而与观察方向无关。如果沿[