第3章2氧化.pptVIP

3.2 氧化工艺 1957年研究发现SiO2具有阻止杂质原子向硅内部扩散的作用。 硅表面总是覆盖一层SiO2,它具有极稳定的化学性质和电绝缘性质。 SiO2制备和光刻、扩散结合导致了平面工艺和超大规模集成电路的迅速发展。 3.2.1 SiO2的作用： 1. 对杂质扩散的掩蔽作用 2. 作为MOS器件的绝缘栅材料 3. 对器件的保护作用(钝化膜) 4. 用作集成电路的隔离介质和绝缘介质 5. 作为集成电路中电容元件的介质 SiO2结构和性质 SiO2是一种广泛存在的一种物质。分为结晶型和非结晶型。方石英和水晶属于结晶型的。热氧化制备的SiO2是无定型的，是一种透明的玻璃体。 （硅晶体演示） 1、结构： Si-O四面体。结晶型SiO2是四面体在空间规则排列所构成的。非结晶型SiO2是四面体在空间不规则排列所构成的。 二氧化硅晶体结构示意图 2、主要性质 （1） 密度 密度是SiO2致密程度的标志。密度大表示SiO2致密程度高，密度小表示SiO2致密程度底，无定型的SiO2密度一般为2.20g/cm3. （2）折射率 折射率是表征SiO2薄膜光学性质的一个重要参数.一般来说,密度大的SiO2具有较大的折射率.波长为5500A时,其折射率约为1.46 （3）电阻率 SiO2的电阻率高低与制备方法和所含杂质等因