第7章外延.pptVIP

1 第七章 外延 定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一层单晶薄膜的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。 正向外延：低阻衬底材料生长高阻外延层的工艺。 反之为反向外延层。 材料异同 同质外延：生长的外延层与衬底材料相同。 Si-Si 异质外延：生长的外延层与衬底材料不同。 SOS技术--蓝宝石上生长硅 外延分类:气相外延(VPE)---常用 液相外延(LPE)---Ⅲ-Ⅴ 固相外延(SPE)---熔融在结晶 分子束外延(MBE)---超薄 7.1 硅气相外延基本原理 7.1.1 硅源 ①四氯化硅（SiCl4），称为sil.tet ②三氯硅烷（SiHCl3），称为TCS ③二氯硅烷（SiH2Cl2），称为DCS ④硅烷（SiH4） ⑤二硅烷（Si2H6） 7.1.2 外延薄膜的生长模型—Grove模型 1.晶面构造：平台、扭转、台阶---近晶面 2.外延生长过程： 反应剂先被生长表面吸附---反应后生成Si和一些副产物。 3.薄膜生长依靠晶体表面台阶的横向运动（二维）进行的。 吸附原子所处位置可能性 A位置—平台上，吸附其它硅原子 B位置—台阶边缘 C位置—扭转，形成了一半的Si-Si键 稳定性： C﹥