arm指令分類及定址方式.pptVIP

嵌入式系统教案 武汉创维特信息技术有限公司 ARM微處理器的指令系統 ARM微處理器的指令集是載入/儲存型的，亦即指令集僅能處理暫存器中的資料，而且處理結果都要放回暫存器中，而對系統記憶體的存取則需要通過專門的載入/儲存指令來完成 。 ARM微處理器的指令集可以分爲六大類 跳躍指令 資料處理指令 程式狀態暫存器（PSR）處理指令 載入/儲存指令 輔助運算器指令和異常産生指令 ARM微處理器指令表-1 ARM微處理器指令表-2 ARM微處理器指令表-3 ARM微處理器指令表-4 ARM微處理器指令表-5 指令的條件欄位 當處理器工作在ARM狀態時，幾乎所有的指令均根據CPSR中條件碼的狀態和指令的條件欄位，作有條件的執行。當指令的執行條件滿足時，指令被執行，否則指令被忽略。 Ex. ADDNE R0,R0,R1 每一條ARM指令包含4位元的條件碼，位於指令的最高4位元[31:28]。條件碼共有16種，每種條件碼可用兩個字元表示，這兩個字元可以附加在指令助記符號的後面和指令同時使用。例如，跳躍指令B可以加上尾碼EQ變爲BEQ表示“相等則跳躍”，即當CPSR中的Z標誌置位元時發生跳躍 Ex. BEQ JP_Lable 指令的條件欄位表-1 指令的條件欄位表-2 ARM指令的定址方式 ARM指令系統支援如下幾種常見的定址方式： 立即定址 暫存器定址 暫存器間接定址 基址變址定址 多暫存器定址 相對定址 堆疊定址 立即定址 立即定址，這是一種特殊的定址方式，運算元本身就在指令中給出，只要取出指令也就取到了運算元。這個運算元被稱爲立即值，對應的定址方式也就叫做立即定址。例如以下指令 ： ADD R0，R0，＃1 /*R0←R0＋1*/ ADD R0，R0，＃0x3f /*R0←R0＋0x3f*/ 在以上兩條指令中，第二個源運算元即爲立即值，要求以“＃”爲字首，對於以十六進位表示的立即值，需在“＃”後加上“0x ”。 暫存器定址 暫存器定址就是利用暫存器中的數值作爲運算元，這種定址方式是各類微處理器經常採用的一種方式，也是一種執行效率較高的定址方式。以下指令 ： ADD R0，R1，R2 /*R0←R1＋R2*/ 該指令的執行效果是將暫存器R1和R2的內容相加，其結果存放在暫存器R0中 。 暫存器間接定址 暫存器間接定址就是以暫存器中的值作爲運算元的地址，而運算元本身存放在記憶體中。例如以下指令 ： ADD R0，R1，[R2] /*R0←R1＋[R2]*/ LDR R0，[R1] /*R0←[R1]*/ STR R0，[R1] /*[R1]←R0*/ 在第一條指令中，以暫存器R2的值作爲運算元的地址，在記憶體中取得一個運算元後與R1相加，結果存入暫存器R0中 ; 第二條指令將以R1的值爲位址的記憶體中的資料傳送到R0中 。 第三條指令將R0的值傳送到以R1的值爲地址的記憶體中。 基址變址定址 基址變址定址就是將暫存器（該暫存器一般稱作基址暫存器）的內容與指令中給出的位址偏移量相加，從而得到一個運算元的有效地址。變址定址方式常用於存取某基底位址附近的地址單元。採用變址定址方式的指令常見有以下幾種形式 ，如下所示： LDR R0，[R1，＃4] ；R0←[R1＋4] LDR R0，[R1，＃4]！ ；R0←[R1＋4]、R1←R1＋4 LDR R0，[R1] ，＃4 ；R0←[R1]、R1←R1＋4 LDR R0，[R1，R2] ；R0←[R1＋R2] 在第一條指令中，將暫存器R1的內容加上4形成運算元的有效地址，從而取得運算元存入暫存器 R0中。 在第二條指令中，將暫存器R1的內容加上4形成運算元的有效地址，從而取得運算元存入暫存器R0中，然後，R1的內容自增4個位元組 。 在第三條指令中，以暫存器R1的內容作爲運算元的有效地址，從而取得運算元存入暫存器R0中，然後，R1的內容自增4個位元組 。 在第四條指令中，將暫存器R1的內容加上暫存器R2的內容形成運算元的有效位址，從而取得運算元存入暫存器R0中。 多暫存器定址 採用多暫存器定址方式，一條指令可以完成多個暫存器值的傳送。這種定址方式可以用一條指令完成傳送最多16個通用暫存器的值 。以下指令： LDMIA R0，{R1，R2，R3，R4} ；R1←[R0] ；R2←[R0＋4] ；R3←[R0＋8] ；R4←[R0＋12] 該指令的尾碼IA表示在每次執行完載入/儲存操作後，R0按字長度增加，因此，指令可將連續儲存單元的值傳送到R1 ～R4。 相對定址 與基址變址定址方式相類似，相對定址以程