模拟电子半导体三极管2摘要.pptVIP

(2)输出特性曲线 1. 当vCE=0 V时，集电极无收集作用，iC=0。 2. 当vCE稍增大时，发射结正偏，集电结正偏，iC主要由vCE决定。 3. 当vCE增加到使集电结反偏时，扩散到基区的电子基本上都被集电区收集，电流没有明显的增加 。 输出特性曲线可以分为三个区域: PCM —集电极最大允许功率损耗 3.2 基本放大电路的组成 (1) 共发射极组态交流基本放大电路的组成 * * * * iC=f(vCE)? iB=const 饱和区——iC受vCE控制的区域，vCE＜0.7 V(硅管)。 发射结正偏(uBEUON)， 集电结正偏(uCE ≤uBE) Ic ＜βIB 截止区—— iB=0的曲线的下方。 uBE ≤ UON ，集电结反偏(uCE ≥uBE) 。 IB=0 放大区——iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。 发射结正偏(uBEUON) ，集电结反偏(uCE