MOS基本原理及驱动技术资料解读.pptVIP

当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 3 .场效应管的主要参数 (1) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 等效电路 小信号模型分析法 在开关电源设计中，用高频模型分析 很伟大的一个公式！！ * MOS结构以及驱动技术 1 MOS场效应管基本知识 2 基本数学方程 3 LC暂态过程 4 MOS数学模型 N型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴 + + + + + + + + + + + + N型半导体 施主离子 自由电子 电子空穴对 一、MOS场效应管基本知识 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 空穴 硼原子 硅原子 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 － － － － － － － － － － － － P型半导体 受主离子 空穴 电子空穴对 P型半导体 MOS场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗