第七章半导体表面特性及mos电容.pptVIP

表面反型 施加一个更大正电压时，表面处能带进一步向下弯曲，如图（c）所示。 表面处费米能级位置高于禁带中央能级Ei，也就是说，费米能级离导带底比离价带顶更近一些，这意味着表面处性质发生根本性变化，表面电子浓度超过空穴浓度，表面导电类型由空穴型转变成电子型，这种情况称表面反型。反型层Xi发生在近表面，且厚度很薄，而紧靠其内部还夹着一层耗尽层，厚度比反型层大很多。 对于N型半导体，同样可证明： 金属电极加正电压为电子积累； 加小负电压为耗尽状态； 而负电压进一步增大时，表面空穴堆积出现反型层。 7.3 MOS结构的电容-电压特性 金属-氧化物-半导体（MOS）结构中，实际氧化物就是绝缘体，它完全类同于MIS电容，是一种特例，称MOS电容。 由于制造MOS器件必然采用这种结构，因而MOS电容成为集成电路中制造电容首选，而其寄生性同样是引起器件性能下降的原因所在。 所以，对这一结构的研究分析，从来就没有停止过。 理想MOS电容 金属-半导体功函数差为零； 氧化层及界面电荷为零； 界面态为零； 半导体体内电阻为零； 氧化层完全不导电。 能带应是平的； 半导体表面处ΨS=0。 电压分布 VG一部分降落在氧化层中，另一部分降落在半导体表面（空间电荷区，而体内电压降为零）。