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第四章 材料的基本物理性质 §1.材料的电学性质 §2.材料的热学性质 §3.材料的磁学性质 关于电导率,有重要关系式 电子―声子散射电子―电子散射电子―杂质散射 电子―声子散射 电子-声子的驰豫时间反比于声子的数量．即声子越多，电子受到散射的几率越大，两次散射的平均时间间隔也越短，所以驰豫时间也越短。 在高温下，声子的数目和温度成正比，由此电声散射带来的电阻率也和温度成正比．由于对常规金属而言，电阻率随温度的变化主要来源于电子―声子散射，在高温下电阻率的行为被广泛观察到．而随着温度降低，由于声子数逐渐减小，电―声子散射带来的电阻率的贡献也会逐渐减少． 详细的计算可以得到布洛赫－格林艾森（Bloch-Grüeneisen）公式，即三维系统电―声作用引起的电阻率为 电子―电子散射 低温下τ-1∝T2 由于电子间存在相互作用，单电子图像不适用，要把电子改成准粒子。这也是朗道费米液体（Fermi Liquid）的基本假设。根据朗道的费米液体理论，通过标准的量子多体理论可以算其驰豫时间的倒数τ-1∝T2，由此电阻率与温度之间在低温下满足T2规律。 这种T2规律的电阻率行为在很多体系中被观察到，在低温下观察到的T2行为往往被认为是系统服从朗道费米液体理论的证据之一。对于相互作用不是很强的三维体系，这一理论是正确的。但是在二维电子强关联体系中，如高温超导，费米液体理论在多大程度上适应还需要更深入的研究。 不管T5还是T2行为，它们在零温极限下都将减少到零。但实际上人们观察到的实验数据，插值到零温极限下的电阻率往往不为零。这个不为零的量来自于电子— 杂质散射。 电子―杂质散射 和温度无关 ρ∝lnT 由于杂质在晶体中分布是衡定的，其电子-杂质散射往往和温度无关，在低温下成为电阻率的主要贡献，被称为剩余电阻率(residual resistivity)。特别指出的是，当杂质存在局域磁矩时，比如在一些非磁性的金属中掺入具有磁矩的稀土元素的情形下,电阻率在低温饱和之前,会存在一个极小值,在随后的一段温区内上升,并遵循对数lnT的行为。日本科学家近藤(Kondo)于1964年建立了合理的物理模型，给出了对电阻率和温度的这种对数依赖行为的物理推导和解释。因而这种涉及局域磁矩和近自由电子相互作用的现象也被通称为近藤效应(Kondo effect)。 * * § n为载流子浓度 , 为载流子在费米面附近的驰豫时间, m*为载流子的有效质量，电导率和载流子浓度及其有效质量都有明显的依赖关系 如果载流子存在几种不同的散射机制,且它们相互独立, 驰豫时间可以表示为： （4-1） （4-2） 这里τ1、τ2为不同的散射机制的贡献． §1.材料的电学性质 可以发现电阻率大致满足马西森定则（Matthissen’s rule） 即存在不同散射机制的时候，电阻率可以表示为各种散射机制单独存在的电阻率之和 （4-3） 其中θD为德拜温度，一般的金属θD在100K的量级. 从这个公式 得出TθD，电阻率正比于T，即 ∝T ；而在TθD的低温区，电阻率正比于T5，即 ∝T5。 由于温度很低的时候，T5的贡献非常小，我们必须考虑其他散射机制的贡献，比如电子—电子相互作用的散射。 （4-4） （4-5） （4-6）