03_第二章 p-n结和pn结二极管.ppt

在反向偏压下，外加的电压增加了跨过耗尽区的静电电势，如中间图所示．如此将大大地减少扩散电流，导致一小的反向电流． 假设满足：①耗尽区为突变边界，且假设在边界之外，半导体为电中性．②在边界的裁流子浓度和跨过结的静电电势有关．③小注入情况，亦即注入的少数载流子浓度远小于多数载流子浓度，即在中性区的边界上，多数载流子的浓度因加上偏压而改变的量可忽略．④在耗尽区内并无产生和复合电流，且电子和空穴在耗尽区内为常数． 1、理想电流-电压特性 ： 在热平衡时，中性区的多数载流子浓度大致与杂质浓度相等，下标0表示热平衡．因此，nn0和np0分别表示为在n和p侧的平衡电子浓度．故 所以 同理 可见，在耗尽区边界上，电子和空穴浓度与热平衡时的静电电势差Vbi有关.由假设②，可以预期在外加电压改变静电电势差时，仍然保持相同的关系式．当加上一正向偏压，静电电势差减为Vbi-VF；而当加上一反向偏压，静电电势差增为Vbi+VR。因此，上式可修正为 其中nn和np分别是在n侧和p侧耗尽区边界的非稳态电子和空穴的浓度．正向偏压时，V为正值，反向偏压时，V为负值． 在小注入情况下，注入的少数载流子浓度远比多数载流子要少，因此，nn?nn0．将此条件以及式 得到在p端耗尽区边界(x=-xp)的电子浓度 代入 可见，在正向偏压下，边界(-xp和xn)的少数载流子浓度实际上比平衡时要大；但在反向偏压下，少数载流子浓度比平衡时要小．上式定义了在耗尽区边界的少数载流子浓度．这些公式对理想电流-电压特性而言是最重要的边界条件． 在理想化的假设之下，耗尽区内没有电流产生，所有的电流来自中性区．对中性n区域，由于区域内没有电场，因此稳态连续方程式简化为 以式 和pn(x=?)=pn0为边界条件，上式的解为 为n区空穴(少数载流子)的扩散长度．在x=xn处： 同理 在电中性p区： 为p区电子(少数载流子)的扩散长度 少数载流子浓度分布如下图所示． 少数载流子离开边界时，注入的少数载流子会和多数载流子复合．电子和空穴电流如下图所示． 在边界的电子和空穴电流由 得到．在n区，空穴扩散电流以扩散长度Lp呈指数规律衰减；而在p区，电子扩散电流以扩散长度Ln呈指数规律衰减. 其中是Js饱和电流密度: 通过器件的总电流为常数，且为上两式的总和，为理想二极管方程式： 右图为理想电流-电压特性曲线．在V≥3kT/q时，p侧加上正偏压为正方向，电流增加量为常数，在反方向时，电流密度在-Js 达到饱和。 解: 由 例5：计算硅p-n结二极管的理想反向饱和电流，其截面积为2×10-4 cm2．二极管的参数是：NA=5×1016cm-3， ND=1016cm-3， ni=9.65×109cm-3， Dn=21 cm2/s， Dp=10 cm2/s，?p0= ?n0= 5×10-7 s. 得到： 和 由截面积A=2×10-4 cm2得到： 理想的二极管方程式，可以适当地描述锗p-n结在低电流密度时的电流-电压特性．然而对于硅和砷化镓的p-n结，理想方程式只能大致吻合，因为在耗尽区内有载流子的产生及复合存在． 得到. （1）首先，在反向偏压下，耗尽区内的载流子浓度远低于热平衡时的浓度．前一章所讨论的产生和复合过程主要是通过禁带中产生-复合中心的电子和空穴发射，俘获过程并不重要．因为俘获速率和自由载流子的浓度成正比，而在反向偏压下耗尽区的自由载流子非常少．工作在稳态下，这两种发射过程交替地发射电子和空穴。电子-空穴对产生可以由 2、产生-复合和大注入影响 其中?g为产生寿命，是括号里表示式的倒数。考虑一简单的例子，其中?n= ?p= ?0，上式可简化成 在pn＜ni及nn＜ni的情况下 在Et=Ei时，其产生率达到最大值，且随Et由禁带的中间向两边偏离时，其产生率呈指数下降．因此，只有那些能级Et靠近本征费米能级的产生中心，对产生率才有显著的贡献． 其中W为耗尽区宽度．p+-n结的总反向电流，当NAND和VR＞3kT/q时，可以被近似为在中性区的扩散电流和耗尽区的产生电流的总和，即 在耗尽区的产生电流为 对于ni较大的半导体，如锗，在室温下扩散电流占优势，反向电流符合理想二极管方程式．但是如果ni很小，如硅和砷化镓，则耗尽区的产生电流占优势． 解 由式 例6：一硅p-n结二极管的截面积为2×10-4 cm2．二极管的参数是：NA=5×1016cm-3， ND=1016cm-3， ni=9.65×109cm-3， Dn=21 cm2/s， Dp=10 cm2/s，?p0= ?n0= 5×10-7 s. 假设?g= ?p= ?n ，计算在4V的反向偏压时，其产生的电流密度