2016光电探测技术-第二章.ppt

SiC材料研究进展 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 1）采用升华法制备SiC晶体来开发各种器件的时期； 2）SiC的外延生长等基础研究时期； 3）接近相关领域应用要求的当前研究开发时期。 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 SiC薄膜的制备方法 薄膜质量的高低将直接关系到其光电性能，进而影响其在微电子中的应用，因此，制备高质量的薄膜尤其重要，同时也是一项非常困难的工作。 物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition) 溅射法 离子注入合成法 二次溅射 射频溅射 磁控溅射 分子束外延（MBE） 化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition) 低压化学气相沉积（LPCVD） 热灯丝化学气相沉积（HFCVD） 等离子化学气相沉积（PECVD） 磁控溅射 E⊥靶面，B∥靶面 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 二次电子与气体分子碰撞以后，损失能量，其运动轨迹会稍微偏离阴极而靠近阳极（阴阳极间距的1/100左右），这样必须经多次碰撞后二次电子才能到达阳极（基片）。一方面增加了碰撞电离的几率，另一方面对基片的损伤小。 e2电子可直接到达阳极，但其比例很少。 气体电离后的正离子轰击靶，打出新的e1电子，重复上述过程。 磁控溅射靶的类型 适合大面积 靶材利用率高， 膜厚分布均匀 同轴型 同轴型 S枪型 平面型 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 分子束外延（MBE） 定义：把所需外延薄膜的各个组分材料，放在喷射炉中，在10-8－10-10 Pa超高真空条件下，让组分的原子或分子按一定比例喷射在热衬底上外延生长成膜。 实质：多源反应蒸发法，发展于70年代。 特点： 1、真空度高，残余气体污染很小，生长速率可以很低，精确控制，可获得原子级厚度与平整度的外延层，很适合研究薄膜生长的过程的研究。 2、衬底温度可较低（减少生长应力，减弱杂质扩散），因此外延层界面十分清晰，适合异质外延。 3、可分别控制每个组分的分子束流，从而精确控制生长层的厚度、组分和掺杂分布。这是VPE、LPE难以做到的。 4、分子束外延是动力学过程，它是将入射的中性粒子（原子、分子）一个一个地堆积在衬底上生长成膜，而不是一个热力学过程。所以它可生长热平衡方法不能生长的薄膜。 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 基本部分： 超高真空系统 薄膜生长系统 原位检测系统 样品交换系统 分子束外延（MBE） 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 SiH4 CVD 定义：利用热、等离子体、紫外线、激光、微波等各种能源，使气态物质经化学反应形成固态薄膜。它的反应物是气体，生成物之一是固体。 特征：必须有化学反应发生；但PVD中也可能有化学反应发生，主过程是蒸镀、溅射这样的物理搬运过程。 关键：高纯源物质、优化的沉积条件。 本质上是气—固多相化学反应，所以经历 (1) 反应物分解，产生气态的活性原子； (2) 活性原子向基板表面输运扩散； (3) 活性原子被基板表面所吸附，并沿表面扩散； (4) 活性原子在基板表面发生化学反应，生产薄膜； (5) 气体副产物通过基板表面向外扩散，解吸而脱离表面。 其中速率最慢的步骤，决定整个CVD过程。 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 GaN基材料 ◆ GaN的禁带宽度为3.4eV，是直接带隙半导体，它的热导、热稳定性、化学惰性、击穿电场和带隙宽度都可与SiC相比。 ◆ GaN还具有高的辐射电阻、易制成欧姆接触和异质结结构，这对制造复杂结构的器件非常重要。 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 ◆ 三元合金AlxGa1-xN的禁带宽度随Al组分的变化可以从GaN(x＝0)的3.4eV连续变化到AlN(x=1)的6.2eV，因此理论上讲利用这种材料研制的紫外探测器的截止波长可以连续地从365nm变化到200nm，是制作紫外探测器的理想材料之一。 GaN基材料 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 GaN基材料 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 APD线性阵列 One pixel 40 pixels 2014年诺贝尔奖授予基于GaN的蓝光LED 郝绮勇 天野皓 中村修二 第三节：典型紫外与可见探测器件 典型紫外光探测：GaN基紫外探测器 第三节：典型紫外与可见探测器件 研究历程： 第一阶段：探索如何生长质量较好的 GaN外延层; 第二阶段：利用GaN和中低 Al 组分的AlxGa1-xN材料研制不同类型的紫外探测器，这一时期器件性能较差; 第三阶段：主