2第二章半导体中杂质和缺陷能级.pptxVIP

中科院物理所发现硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体 纳米管电学性质的不可控问题依然是悬而未决的难题，这是由于在制备的样品中约2/3的纳米管为半导体性，约1/3的纳米管为金属性，两者共存大大限制了碳纳米管在纳米电子器件中的进一步应用。 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 锗、硅晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质和间隙式杂质 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.2 施主杂质 施主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.3 受主杂质 受主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.4 杂质浅能级电离能的简单计算 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.5 杂质的补偿作用 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.6 深能级杂质 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.6 深能级杂质 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 锗、硅晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.2.1 GaAs中的杂质 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 锗、硅晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 2.3 缺陷、位错能级 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3 缺陷、位错能级 位错的形成原因：应力作用使得晶格发生畸变。 位错类型：基本类型是刃型位错（棱位错）和螺型位错 2.3.2 位错 2.3 缺陷、位错能级 2.3 缺陷、位错能级 棱位错对半导体性能的影响： 1）位错线上的悬挂键可以接受电子变为负电中心，表现为受主；悬挂键上的一个电子也可以被释放出来而变为正电中心，此时表现为施主，即不饱和的悬挂键具有双性行为，可以起受主作用，也可以起施主作用。 2）位错线处晶格变形，导致能带变形 2.3.2 位错 2.3 缺陷、位错能级 3）位错线影响杂质分布均匀性 4）位错线若接受电子变成负电中心，对载流子有散射作用。 5）影响少子寿命，原因：一是能带变形，禁带宽度减小，有利于非平衡载流子复合；二是在禁带中产生深能级，促进载流子复合。 2.3.2 位错 2.3 缺陷、位错能级 作 业 课后习题： 1，2，3，5 补充习题： 1、 掺杂技术在半导体中有哪些应用？并举例。 2、 位错对器件性能有哪些影响？对材料的物理性能有哪些影响？并举例说明。