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3.1光源 3.1.1 半导体激光器的工作原理 3.1.2 半导体激光器的基本结构 3.1.3 半导体激光器的工作特性 3.1.4 半导体激光器的典型分类 3.1.5 发光二极管 3.1.6 半导体光源的应用 3.2 光检测器 3.2.1 光电二极管的工作原理 3.2.2 PIN光电二极管 3.2.3 雪崩光电二极管(APD) 3.2.4 光电二极管的应用 3.3 光无源器件 3.3.1 光连接器 3.3.2 光耦合器 3.3.3 光隔离器 3.3.4 光环行器 3.3.5 光衰减器 3.3.6 光开关 3.3.7 光调制器 3.1 光源 Fabry(1867~1945) Perot(1863~1925)法国物理学家 3．光谱特性 所谓光谱特性是指激光器输出的光功率随波长的变化情况，一般用光源谱线宽度 来表示。 半导体激光器的谱线宽度，随着注入电流而变化。 I﹤Ith，光谱很宽； I﹥Ith，光谱变窄，谱线中心强度急剧增加。 半导体激光器的谱线宽度，随着调制电流的增大而变宽。 5.温度特性 随着结区温度的升高，LD的外微分量子效率下降和阈值电流明显加大。描述这一性能的参数就是特征温度，用符号T0表示。可以把T0的物理意义理解为激光器的热稳定性，较高的T0意味着对温度的依赖较小，当温度增加时，激光器的外微分量子效率和阈值电流变化不大。典型激光器的变温P-I曲线图。 6.光束特性 光束特性通常用激光器的近场和远场辐射方向图来表征，直接影响到器件与光纤的耦合效率。 近场图：LD输出端面的辐射光的光功率强度分布。 远场图：远离LD输出端面的辐射光的光功率强度分布。 远场与近场的关系：有源区端面上激光光斑呈水平椭圆形状，但从激光器发射出的远场图案呈垂直椭圆光束。 和 分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角。由于LD的结构特性，一般LD在两个方向的辐射角不相等，应用中希望辐射角越小越好。 图是GaAlAs-DH激光器在水平方向的近场图和远场图，可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度（横向宽度）w由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模。 纵模表示沿谐振腔传播方向的驻波振荡特性； 横模表示谐振腔横截面上的场型分布。 3.1.4 激光器的典型分类 1、F-P腔激光器 F-P LD是最常见最普通的LD，是较早商用化的半导体激光器类型之一。结构简单，容易制造，在传统光纤通信系统中使用广泛。但是此种激光器基本为多纵模工作方式，进行直接调制时动态谱线展宽明显，不适合现代大容量长距离光纤传输和波分复用系统的要求。 2、分布反馈激光器DFB LD DFB LD同F-P LD的主要区别：DFB LD没有集总的谐振腔反射镜，它的反射机构是由有源区波导上的Bragg光栅提供的。 分布式反馈 ?非常好的单色性和方向性 DFB LD基本工作原理 在有源区介质表面上使用全息光刻法做成周期性的波纹形状。 用泵浦（光泵浦或电泵浦）激发，造成足够的粒子数反转，?具备增益条件 只有波长满足“Bragg反射条件”的光波才能在介质中来回反射，得到不断的加强和增长。 3、分布Bragg反射激光器（DBR） DBR LD的结构与DFB类似，区别在于根据波导功能进行分区设计，光栅的周期性沟槽不在有源波导表面上，而是在有源层波导两外侧的无源波导层上，这两个无源的光栅波导充当Bragg反射镜的作用。由于有源波导的增益特性和无源周期波导的Bragg反射作用相结合，只有在Bragg频率附近的光波才能满足振荡条件，从而发射出激光。 布拉格 Bragg（1890~1971） 澳大利亚出生的英国物理学家，25岁时发明了有名的布拉格方程，获得了诺贝尔奖 4、量子阱激光器QW LD 5、垂直腔面发射激光器VCSEL Vertical Cavity Surface Emitting Laser 垂直于衬底方向出光的面发射激光器 VCSEL 激光器 VCSEL 激光器工作原理 VCSEL激光器 VCSEL 激光器阵列 3．LED的特点 与LD相比，LED的输出光功率较小；谱线宽度较宽；调制频率较低。 优点：寿命长、可靠性高、调制电路简单、成本低。 LED在小容量短距离系统中发挥了重要作用。 （2）光谱特性 LED是自发辐射发光，其谱线宽度 比LD宽得多。因此，光信号在光纤中传输时材料色散和波导色散比较严重。 面发光型LED的 大于边发光型LED （3）温度特性 发光二极管的输出功率，随温度的升高而减少。 温度对LED工作状态的影响比对LD的影响要小得多，LED的温度特性很好，一般不需要加温控电路。 （4）耦合效率 由于L