3.3-3.7 铁磁学性能(材料物理性能).ppt

3.4.2磁致伸缩 磁致伸缩：铁磁体在磁场中被磁化时，形状和尺寸都发生变化的现象。 原因：当原子磁矩有序排列时，电子间的相互作用导致原子间距的自发调整引起的。 磁滞伸缩的内在机理 自发形变（自发磁滞伸缩） 场致形变（磁致伸缩） 形状效应 磁弹性能 5）应力能 退磁场能 3.5 磁畴 磁畴壁的厚度 磁畴的形成是能量最小原则的必然结果，即形成磁畴是为了降低系统的能量。 磁畴结构受交换能、磁晶能、磁弹性能、畴壁能和退磁能的影响，平衡状态时的磁畴结构，应使这些能量之和为最小值。 3.5.3不均匀物质中的磁畴 磁泡 * 矫顽力的缺陷理论（钉扎理论） 晶体中的点缺陷（如空位、错位原子）、线缺陷（如位错）、面缺陷（如晶界、亚晶界、相界、反相畴边界、堆垛层错和孪晶界等）和体缺陷（如空洞、大块掺杂物等）与畴壁存在相互作用。 若缺陷处的K1或A比非缺陷区的K1或A小时，则缺陷区的畴壁能比非缺陷区的畴壁能低，在平衡态时，畴壁位于缺陷处。即畴壁与缺陷是相互吸引的，缺陷对畴壁起钉扎作用。 缺陷对畴壁的钉扎作用与畴壁厚度有关。 * （2）磁矩转动的反磁化过程所决定的矫顽力 对于单轴各向异性单畴力： 对于应力各向异性 * 3.6.4剩磁 图中为单轴各向异性无织构的多晶体在各种磁化状态下的磁矩角分布的二维矢量模型。 剩磁是组织敏感参量。它对晶体取向和畴结构十分敏感。Mr主要取决于MS和?i角，为获得高剩磁，首先应选高MS的材料， ?i角主要决定于晶粒的取向与畴结构，通常用获得晶体织构或畴织构的办法来提高剩磁。 Mr：剩余磁化强度 Br：剩余磁感应强度 V：样品总体积； Vi：第i个晶粒的体积； ?i：第i个晶粒的MS方向与 外磁场的夹角。 * 3.6.5饱和磁化强度 MS是温度T的函数，低温下遵循Bloch定律： 简单立方：??2 体心立方：??1 面心立方：??1/2 M0称为绝对饱和磁化强度（T?0K时，MS ? M0） neff：有效玻尔磁子数 N：摩尔磁性原子数 d0：0K时的密度 ?B：玻尔磁子 A：原子量 M0、MS为内禀磁参量 * 同样成分的材料，不同的热处理，不同的显微组织有不同的HS，即HS随冶金学因素而变化，因此： 磁性材料应用中， 多使用饱和磁感应强度BS。 ?0MS是内禀饱和磁感应强度， 是组织结构不敏感参量。 习惯上定义当?0M－H磁化曲 线出现（大体上）水平线，即磁体磁化到技术饱和时所对应的B值称为饱和磁感应强度BS。 BS为组织敏感参量！ 饱和磁感应强度 * 居里温度 铁磁体由铁磁性转变为顺磁性的温度称为居里温度或居里点。 居里温度可以由MS－T曲线或?－T曲线上最大斜率点的切线与温度坐标轴的交点来确定。 ? ：单位质量的磁矩 * 元素 TC（℃） J J(J+1) A?1023（J） Gd(钆) 20 3.5 15.75 6.42 Tb(铽) -53 6 42 1.81 Dy(镝) -185 7.5 63.75 0.477 Tm(铥) -254.2 6 42 0.262 Er(铒) -253.7 7.5 63.75 0.106 Ho(钬) -241.2 8 72 0.091 镧系铁磁性金属元素的TC和J(J+1)、A的关系 镧系金属的TC与J(J+1)无关，而与交换积分常数A密切相关。 从本质上说，分子场是相邻原子间电子自旋的交换作用。分子场和交换作用在物理本质上是一致的。因此，交换积分常数A越大，居里点TC就越高。 由外斯(Weiss)铁磁性假说可得到： N：单位体积的原子数 J：原子总角量子数 gJ：朗德（Lande）因子 ?：分子场系数 k：玻尔兹曼常数 * 若交换作用弱，在不高的温度下，原子热运动就破坏了原子磁矩的规则排列，所以居里温度很低。 稀土金属即如此。 居里温度是内禀特性，主要取决于合金的成分。 合金居里点随成分的变化： C：溶质原子百分数。 居里点实际上是原子热运动能(kT)与交换作用能相当时的临界温度。 * 3.7交流磁化过程与交流回线（动态特性） * 动态磁导率 （在交变磁场下测得的磁导率） 根据欧拉公式和磁导率的定义，得到复数磁导率： ?1＝ ?pcos?为复数磁导率的实部 ?2＝ ?psin?为复数磁导率的虚部 ?p = Bm/Hm，称为峰值磁导率 静态磁导率 动态磁导率 ?：损耗角 * ?1是与H同位相的B的分量与H的比值，相当于静态磁导率，与磁性材料存贮的能量成正比，即： 与固体弹性变形时所存贮的弹性能相似，因此?1又称为弹性磁导率。 ?2表示材料在交变磁场中磁化时能量的消耗，因此又称为粘性磁导率。 磁性材料在交变磁场中磁化时既有能量的损耗，又有能量的存贮。 * 磁能积 * 3.7.3铁磁体的损耗 磁性材料在交变场中工作时引起的能量损耗，称为铁芯损耗（铁损、磁损）