3章场效应管11讲.pptVIP

交流参数归纳如下 ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 三种接法基本放大电路的比较 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD be L L be L be L + = CB ) 1 ( ) (1 = CC = CE r R β A R β r R β A r R β A v v v ￠ ￠ + + ￠ + ￠ - ： ： ： 电压放大倍数 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输入电阻Ri CB: CC: CE: CS：Rg3+ ( Rg1 // Rg2) CD：Rg+ (Rg1 // Rg2 ) CG：R//(1/gm) Re//[rbe/(1+?)] 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输出电阻Ro CS： Rd CD：R//(1/gm) CG：Rd 本章小结 1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2．FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自偏压式和分压式两种。 3． FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。 判断对错： 1.场效应管的输入电阻较小，但它耗电少，因此 广泛应用于交、直流放大。( ) 2.对于增强型绝缘栅场效应管，即使栅—源极间 不加电压，也存在导电沟道。( ) 3.对于耗尽型绝缘栅场效应管，不论栅—源电压 UGS为正，还是为负或零，都能起到控制电流ID 的作用。( ) 1.Χ 2.Χ 3.√ 例1：压控电阻 场效应管工作在可变电阻区时，iD随vDS的增加几乎成线性增大，而增大的比值受vGS控制。所以可看成是受vGS控制的电阻。 vi vo 管 号 VGS（th）/V VS/V VG/V VD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3 T2 4 3 3 10 T3 －4 6 0 5 例2：测得某放大电路中三个MOS管的三个电极 的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)， 并填入表内。 恒流区 截止区 可变电阻区 * * 3.2 绝缘栅场效应三极管 MOSFET分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 结构示意图和符号 （动画2-3） 1 N沟道增强型MOSFET 工作原理 (动画2-4） (动画2-5) 漏极输出特性曲线 转移特性曲线 特性曲线 结构示意图 转移特性曲线 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线 2 N沟道耗尽型MOSFET N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 各类场效应三极管的特性曲线 各类场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 3.3 场效应三极管的参数 ① 开启电压VT 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VP 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VP 时,漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。 ④ 直流输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～