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An Epitaxial Ferroelectric Tunnel Junction on Silicon
An Epitaxial Ferroelectric Tunnel Junction on Silicon
背景
为了寻求在硅上制备的高存储密度、高速率和低的能量消耗的非挥发存储器,促使研究者们研究新的材料以及纳米级架构的设计。
Flash memory:长的程序编制时间、受限的循环寿命以及高的程序电压
MRAM和FeRAM:相对Flash memory 具有更好的编程性能,但将其按比例缩小的技术仍是挑战
传统FTJ device:当用超薄的铁电薄膜作为隧道结的势垒层,量子隧道电流和电阻将能通过铁电势垒的极化方向来无损伤的操纵(TER效应)。作为非挥发存储器具有良好的性能,但具有近理想性能的FTJ只是在被沉积于接近晶格匹配的非硅衬底上的钙钛矿异质结上得以证明。
本实验在Si(001)衬底上外延具有TER效应的FTJ device。
* 通过PLD法用STO作为缓冲层在硅上沉积LSMO和3.2nm厚的BTO薄膜。Figue 1a 显示了LSMO/BTO 异质结和相应的原子分辨率STEM-HAADF图像,从图中得出BTO势垒层为8个单胞厚。* Figure1b demonstrate near-atomically sharp interfaces in the STO/LSMO/BTO stack, suggesting that cationic mixing at the interfaces is minimal. (不懂)* Figure 1c 显示了c轴方向上外延的钙钛矿叠层分别为约3.2nm的BTO和13.3nm的LSMO。并且在硅和STO之间是无定形层,在辅助信息中给出了这个无定形层是在外延生长STO时Si与其中的O反应形成的SiO2
Figure 1. STEM and TEM on the Si/SiOx /STO/LSMO/BTO stacks. a) A STEM-HAADF image and corresponding configuration of the stacks; the blackdashed lines indicate the position of the BTO film. The metal protection layer with closed-packed structure can be identified on top of the perovskite BTO, as marked by the yellow hexagonal (metal side) and cubic (BTO side) units. b) HAADF averaged intensity profi le across the LSMO/BTO interface.c) A lattice image in TEM mode; the dashed lines and arrows indicate the location of the BTO layer.
在铁电材料中外延应力和极化是成对的,导致极化和四方性(c/a)之间存在直接关系。Figure 2a是超薄BTO的带有多点模拟的HRTEM图像,其中Ba(黄)、Ti(红)的准确位置是通过最小二乘拟合得到的。The lattice parameters a and c can then be extracted from the coordination of the cation columns.测得BTO的晶格常数a=0,395±0.005nm,c=0.413±0.005nm,与相应的体BTO沿平面方向的压缩应变水平相比+1.0%。Figure 2b显示的是BTO单胞级的四方性值的图像,可看出四方性值 在空间的分布很均匀。Figure 2c绘制了每8行BTO单胞的c/a的平均值,从LSMO/BTO界面到BTO表面c/a的值几乎为常数1.045,相比体BTO增大了。(我不明白c/a应该是表现了应力的大小,那应力在其中的影响是什么,是大好还是小好)
Figure 3a显示了Si/STO/LSMO/BTO的形貌,粗糙度约为300nm为原子级的光滑表面。Figure3b和3c分别为在3.2nm厚的BTO上写入的铁电区域的外平面的PFM相和振幅的图像。(bc图不懂怎样分析)
Figure3 a) AFM topography of 3.2 nm thick BTO on LSMO/STO/silicon wafer. b) PFM out-of-plane image and c) amplitude image of the polarization pattern recorded after writing a
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