chapter10- 二极管和晶体管.pptVIP

(2)VA=6V,VB=5.8V; (2)VA=VB=5V; 例4：两个稳压管,稳定电压分别为5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V,如果得到0.5V,3V,6V,9V和14V应如何连接? 解: 例5：有两个晶体管分别接在电路中,测得它们的管脚电位如下图所示:试判断管子类型。 解： * * 三极管的型号 例： 3 D G 6 A--锗PNP B--锗NPN C--硅PNP D--硅NPN G高频小功率； A高频大功率 X低频小功率 D低频大功率 K开关管 三极管 材料 功能 序号 B E C N N P 基极 发射极 集电极 4. 放大内部条件(制造工艺) 基区：较薄，掺杂浓度最低；控制分配载流子 集电区：面积较大掺杂浓度低于发射区；收集载流子。 发射区：掺杂浓度较高；用来发射载流子。 10. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 NPN管： PNP管： 发射结 集电结 发射结 集电结 发射结正偏 集电结反偏 P N N B E C NPN P N P B E C PNP VC 最高 VC 最低 P14/ P19-21 EB RB EC RC C E B EB RB RC C E B NPN PNP 发射结正偏、集电结反偏 EC 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 晶体管:电流放大作用。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入B 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 集电结反偏,电子拉至C区，而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 动画(14-4) 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC VBB RB IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE 共发射极电流放大倍数 IE = IB + IC (mA) (?A) E极 100个 98 ? ICE 2 ? IBE a、 基区很薄,掺杂浓度又很小。 电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以： IC IB 同样有: ? IC ? IB 所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。 b、发射区的杂质浓度 集电区的杂质浓度。 因此两个区不能互换。 请注意 10.5.3 特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 1. 输入特性 特点:非线性 死区电压： Si管0.5V， Ge管0.1V。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE? 1V O 输入特性 : 类似二极管的特性 工作(导通)压降： 硅管UBE ? 0.6 ~ 0.7V 锗管UBE ? 0.2 ~ 0.3V 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区 三个工作区： (1) 放大区 条件：发射结正偏、集电结反偏 特点：曲线平行等距 特性：恒流、受控。 受控特性： IC =βIB ， IC 随 IB变而变。 1 2 3 5 3 6 IC(mA ) UCE(V) 9 12 O 4 仿真(14-2) IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 特点： IB ? 0 ， IC ? 0 。CE间断路 , UCE = UCC 条件：发射结反偏，集电结反偏 饱和区 截止区 （3