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集成电路器件和模型 Chapter2 集成电路器件和模型 半导体PN结 MOS器件 基本概念 阈值电压 I/V特性 二级效应 器件模型 本征半导体 特点?? 原子结构：是四价元素或III/Ⅴ族化合物。 纯净、不参杂。具有晶格结构。 例：1023原子/cm3 电子的共有化 四价元素→形成四价键：原子的外围四个价电子和附近原子的价电子形成电子的共有化。 →形成半导体的能带：导带和价带。 本征载流子浓度 自由载流子?? 热激发形成自由载流子 载流子的分布由费米能级和费米函数表示 本征载流子浓度： 室温下，T=300K ni=1.45×1010cm-3 T ↑, ↑。T每升高11度，Ni 为原来的2倍。 参杂半导体 掺入三价或五价原子，提供一个载流子。 ??N型：掺入五价元素，如磷（P)、砷（As）， 提供一个电子，电子导电。 若：ND是参杂浓度，D代表施主浓度 多子（电子）浓度：nn=ND 少子（空穴）浓度：Pn=ni2/ND ??P型：掺入三价元素，如硼（B)， 提供一个空穴，空穴导电。 若：NA是参杂浓度，A代表施主浓度 多子（空穴）浓度： Pp=NA 少子（电子）浓度：np=ni2/NA 参杂半导体的费米势 P-N结 P-N结 P-N结耗尽区 P-N结耗尽区 P-N结耗尽区 举例 反向击穿 反向击穿 PN结电流-电压方程 PN结电流-电压方程 PN结的小信号模型 MOS器件 MOS器件 MOS器件 MOS符号 MOS的I/V特性 MOS的I/V特性 理想的阈值电压 理想的阈值电压 实际的阈值电压 MOS晶体管的I-V特性 沟道电荷随VDS变化 MOS晶体管的I-V特性 MOS晶体管的IV特性 MOS晶体管的IV特性 ②电流方程 b. 深三极管区 MOS晶体管的IV特性 ②电流方程 饱和区VDSVGS-VTH 沟道夹断，电流随VDS增加近似固定 MOS晶体管的IV特性 电流源 饱和区时，由于电流近似恒定，MOS构成电流源 MOS晶体管的I-V特性 MOS晶体管的工作区 VDS与工作区 MOS晶体管的工作区 VGS与工作区 MOS晶体管的工作区 问题: 一个nMOS管,偏置VGSVT ,漏级开路(ID =0),此晶体管是处于cut off 状态还是其他状态?为什么? MOS管饱和区的跨导gm MOS管饱和区的跨导 MOS管饱和区的跨导 由上述比较来看,一个aspect为100,Vod=0.2V, ID=100 μA的MOS管.跨导约为最小的npn管(1ma偏置)的1/40. 重要结论: MOS模拟电路设计中,决定放大器增益的重要因素gm首先是取决于W/L值.(由2-17表达式) 关于偏置电流ID对gm的影响,由2-18式知gm ∝ (ID)1/2 ,调节ID对gm 作用较小,且从放大器输出电阻来看,较高ID对增益不一定有利. 二极效应 沟道长度调制效应 二级效应 沟道长度调制效应 二级效应 沟道长度调制效应 二级效应----沟长调制效应 二级效应------体效应 二级效应------体效应 二极效应------亚阈值导电性 MOS电容 不同工作区的MOS电容 MOS电容 降低MOS管的漏极电容 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 MOS管交流小信号特性 SPICE HSPICE模型 SPICE (HSPICE)模型 LEVEL 1模型 LEVEL 1模型 * * 两种击穿机理： 齐纳击穿： 隧道击穿，当PN结两边都是重掺杂时发生。 雪崩击穿：雪崩碰撞倍增。 击穿电压反偏电流 击穿电压附近的反偏电流为： IRA=MIR 其中IR为pn结正常反偏电流， M为倍增因子，n=3~6 PN结的击穿电压是由耗尽区所能承受的最大电场Emax决定。 例4：一个硅材料pn结的掺杂溶度NA=1016原子/cm3和ND=1017原子/cm3，假设临界电场Ecrit=3×105 V/cm，计算击穿电压。 解：击穿电压： 电流方程： 饱和电流： 例：已知二极管参数，可以求得理论上的饱和电流。若： 求饱和电流Is。 实际的饱和电流可能大于理论值。 MOS器件特点： 载流子导电，电压控制型器件 MOS器件的源端和漏端在几何上是等效的。 MOS器件的结构 W Gate width； Ldrawn(L) Gate length--layout gate leng