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LED倒装封装结构的优势摘要： 本文对比研究了 垂直结构LED 和 倒装结构LED 随着电流增大的光输出变化规律，并且与 普通正装LED 进行了比较，得出了倒装结构LED具有更好的抗大电流冲击稳定性和光输出性能。 　本文对比研究了 垂直结构LED 和 倒装结构LED 随着电流增大的光输出变化规律，并且与 普通正装LED 进行了比较，得出了倒装结构LED具有更好的抗大电流冲击稳定性和光输出性能。　白光发光二极管(LED)因其节能、环保、可靠性高和设计灵活等优点在照明领域得到广泛开发和应用。为了满足日益增长的照明需求，较大输出功率LED的研发和技术改进得到了广泛开展。　1、正装封装结构的缺陷　目前，商业化的LED很多采用金线将芯片的PN结与支架正负极连接的正装封装结构。然而，随着输出功率的不断提高，制约大功率LED发展的光衰较大和光淬灭等失效问题相继涌现。　淬灭失效的主要原因是金线断裂。在金线引线连接过程中，受到金纯度、键合温度、金线弯曲度、焊接机精度和键合工艺等多重因素影响，造成金线断开而淬灭。其次，混合荧光粉的硅胶涂覆在芯片表面，起到光转化作用和保护金线等双重作用，当芯片通电后温度上升，由于硅胶热胀冷缩等原因将对金线和焊点产生冲击，焊点脱焊，造成淬灭。　光衰较大失效的主要原因是硅胶的黄化或透过率降低。正装结构LED p、n电极在LED的同一侧，电流须横向流过n-GaN层，导致电流拥挤，局部发热量高，限制了驱动电流;其次，由于蓝宝石衬底导热性差，严重阻碍了热量的散失。在长时间使用过程中，因为散热不好而导致的高温，影响到硅胶的性能和透过率，从而造成较大的光输出功率衰减。　因此，为了改善正装封装LED的金线易断裂和散热不好等问题，业内研究者们相继发明了垂直结构LED和倒装结构LED。　相较于正装LED，垂直结构采用高热导率的衬底(Si、Ge和Cu等衬底)取代蓝宝石衬底，在很大程度上提高散热效率;垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，通过n电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，横向流动的电流极少，可以避免局部高温。但是目前垂直结构制备工艺中，蓝宝石剥离工艺较难，制约了产业化发展进程。　而另一项发明的倒装结构LED，因其可以集成化、批量化生产，制备工艺简单，性能优良，逐渐得到了照明行业的广泛重视。倒装结构采用将芯片PN结直接与基板上的正负极共晶键合，没有使用金线，而最大限度避免了光淬灭问题。此外，共晶键合结构对散热问题有了很大的改善。在大功率LED使用过程中，不可避免大电流冲击现象，在此情况下，如果灯具的大电流抗冲击稳定性不好，很容易降低灯具的使用寿命。　因此，本文对比研究了垂直结构LED和倒装结构LED随着电流增大的光输出变化规律，并且与普通正装LED进行了比较，得出了倒装结构LED具有更好的抗大电流冲击稳定性和光输出性能。　2、样品制备与测试方法　2.1 样品制备　三种封装结构如图1所示。其中正装LED采用蓝宝石衬底峰值波长448 nm芯片，倒装芯片采用蓝宝石衬底峰值波长447 nm芯片，垂直结构芯片采用硅衬底峰值波长446 nm芯片。三种芯片大小均为1.16 mmx1.16 mm，工作电流350 mA，硅胶采用普瑞森公司的0967型号，荧光粉采用威士波尔的YAG-4。正装结构芯片的正负极通过金线引线键合焊接在支架的正负极上;垂直结构芯片的正极是通过金线引线键合焊接在支架的正极上，负极是通过金球共晶键合在支架的负极上;倒装芯片的正负极是通过金球共晶键合在支架的正负极上。　2.2 测试方法　光通量、发光效率和色温采用杭州远方公司生产的STC4000快速光谱仪，测试原理如图2所示。被测LED采用固定夹具放在积分球中心，LED发射经积分球内部白色漫反射层，漫反射一部分光线通过积分球表面的窄通光孔径光纤传输到微型多通道光谱仪，光谱仪采集的数据通过USB接口发送到计算机进行处理和显示。光源采用恒流源供电。　3、结果与讨论　3.1 光通量随电流变化关系　图3标出了在驱动电流从50 mA到2 000 mA条件下，倒装封装LED、垂直结构封装LED和正装封装LED的光通量随电流增加的变化趋势曲线。从图3中可以看出，随着电流的逐渐增大，三种结构LED的光通量都随着电流的增加而增加，但是增长幅度逐渐减小。　在驱动电流达到1 200 mA时，垂直结构LED首先达到光通量饱和点，而此电流条件下的倒装LED的光通量比正装LED的光通量高出14.7%，比垂直结构LED的光通量高出25.9%。随着电流的继续增大，垂直结构LED的光通量变化显示其已接近失效，倒装LED的光通量在电流1 550 mA时达到了饱和，比垂直结构LED饱和电流值增加了350 mA。光通量的测试结果表明，倒装结构PN结温低、散热好。　因此得出，倒装LED比其他两种结构