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第三章 晶体硅太阳能电池主讲人：杨少林材料科学与工程学院3.1 硅材料的制备改良西门子法1、将石英砂（SiO2）在300~400℃反应器中液化冶金级多晶硅：SiO2+2C→Si+2CO2、将冶金级的多晶硅转化成气态的三氯硅烷，沸点为31.8 °CSi+3HCl → SiHCl3+H23、用分馏法去除杂质（Fe，B，P），通过还原法在1000℃电加压的杵棒上沉淀成细粒状高纯多晶硅。2SiHCl3+2H2 → 2Si+6HCl改良西门子法是在此基础上增加反应气体的回收，从而增加高纯多晶硅的出产率。3.1 硅材料的制备硅烷热分解法2Mg+Si →Mg2Si 利用硅化镁和液氨溶剂中的氯化铵在0℃以下反应：Mg2Si+4NH4Cl=2MgCl2+4NH3↑+SiH4 生成的硅烷可以利用精馏技术提纯，然后通入反应室，细小的多晶硅硅棒通电加热至850℃以上，硅烷分解，生成多晶硅沉积在硅棒上，化学反应式为：SiH4=Si+2H23.1 硅材料的制备流化床法 将四氯化硅、氢气和工业硅为原料放在流化床（沸腾床）内，在高温高压下生成三氯氢硅。然后三氯氢硅歧化反应，生成二氯二氢硅，最后二氯二氢硅催化歧化反应从而生成硅烷气。3SiCl4+Si+2H2=4SiHCl32SiHCl3=SiH2Cl2+SiCl43SiH2Cl2=SiH4+2SiHCl3 制得的硅烷气通过加有粒度小的硅粉反应炉内进行连续加热，使之产生分解反应，便生成形状呈粒状的多晶产品。3.2 单晶硅太阳能电池3.2.1 单晶硅太阳能电池基本原理和结构 单晶硅太阳能电池片的结构主要包括：正面梳状电极、减反射膜、N型层、PN结、P型层、背面电极等，如下图所示：一般采用1Ω·cm左右的(100)晶面的掺硼的p型硅材料作为基质材料，通过扩散n型掺杂剂，形成pn结。基本结构多位n+/p型，厚度一般为200~300μm。工作原理图3.2.1 单晶硅太阳能电池基本原理和结构 工作原理：当太阳光照射到太阳电池上并被吸收时，其中能量大于禁带宽度的光子能把价带中电子激发到导带上去，形成自由电子，价带中留下带正电的自由空穴，即电子一空穴对；自由电子和空穴在不停的运动中扩散到P-N结的空间电荷区，被该区的内建电场分离，电子被扫到电池的N型一侧，空穴被扫到电池的P型一侧，从而在电池上下两面(两极)分别形成了正负电荷积累，产生“光生电压”，即“光伏效应”，若在电池两侧引出电极并接上负载，负载中就有“光生电流”通过。3.2.1 单晶硅太阳能电池基本原理和结构单晶硅太阳能电池具有如下优点：转换效率高。在已实用化了的太阳能电池中处于顶尖水平。工艺技术成熟。单晶硅棒和pn结的制造技术等，与集成电路等半导体制造技术有较多的兼容部分，且历史悠久，业绩突出。可靠性高。发电性能稳定，用于人造卫星及灯塔，有很长的使用历史。3.2.2 单晶硅锭的铸造1. 熔体直拉法：一块具有所需要晶向的单晶硅作为籽晶来生长硅锭，生长的单晶硅就像是籽晶的复制品;坩锅里的硅被单晶炉加热，硅变成熔体;籽晶与熔体表面接触，并旋转，旋转方向与坩锅的旋转方向相反;随着籽晶在直拉过程中离开熔体，熔体上的液体会因为表面张力而提高。随着籽晶从熔体中拉出，与籽晶有同样晶向的单晶就生长出来。3.2.2 单晶硅锭的铸造直拉生长硅单晶的基本步骤：拉制出完美的单晶的要求：精心“选种”“ 育种”，并认真做好“下种”前的准备工作 整个直拉硅单晶的过程包括：引晶（下种）、缩颈（细颈）、放肩、等颈生长和收尾。 直拉单晶生长工艺步骤示意图 3.2.2 单晶硅锭的铸造1.籽晶熔接: 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。2.引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引晶”。“缩颈”是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm。3.2.2 单晶硅锭的铸造3.放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。在放肩时可判别晶体是否是单晶，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征—棱的出现可帮助我们判别，111方向应有对称三条棱，100方向有对称的四条棱。4.等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。5.收尾：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。3.2.2 单晶硅锭的铸造2. 悬浮区熔法使圆柱形硅棒固