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Zn在III-V族半导体中的扩散 小组成员：曹芸 黄昊光 华健 李梦俏 李思成 姜楠 主讲人： 姜楠 一、背景介绍 二、 Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法 三、扩散机理简介 四、Zn在III-V族半导体中的扩散研究的分析手段 五、锑化镓红外电池制备工艺的研究 目录 扩散法掺杂Zn的优势： 重要的P型掺杂物质，具有双重扩散前沿的kink-and-tail与单扩散前沿的box类型扩散曲线 Ⅰ 1 2 为什么掺杂： 将可控制数量的杂质摻入半导体内以改变半导体的电特性 扩散 离子注入 背景介绍 Zn原子在N型衬底中的掺杂浓度分布 器件的性能 准确预测在不同的扩散温度与时间下Zn浓度曲线形貌 、 影响 、 需要 Zn扩散理论的研究价值 Ⅱ Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法 1.准密封式扩散法 1—固定螺丝,2—石墨顶盖,3—石墨盒,4—支撑框架,5—III-V族化合物半导体晶片,6—石墨制成的晶片支撑板,7—钻有圆孔的石墨网,8—扩散源 Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法 Ⅱ Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法 Ⅱ Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法 Ⅱ 保护气 抽真空 2.密封式扩散法 Ⅱ Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法 Ⅱ Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法 保护气 抽真空 Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法 Ⅱ 扩散机理简介 Ⅲ 扩散机理简介 通过质量作用定律,并且考虑到最终扩散样品中填隙态Zn浓度远远小于替位态Zn浓度,那么由上述两个方程描述的扩散过程中扩散率可通过下式粗略计算 Ⅲ 扩散机理简介 Boltzmann-Matan方法计算杂质扩散率与浓度的关系 光致发光 建立扩散方程，拟合扩散参数 检验拟合参数 Zn在III-V族半导体中的扩散研究的分析手段 Ⅳ 1 2 3 4 4.1Boltzmann-Matan方法计算杂质扩散率与浓度的关系 将菲克第二扩散定律中 和 采用η表示 式中D表示扩散率，C表示杂质浓度 将表达式 作出相应的转化，得到 带入菲克扩散定律式中，得到 4.1Boltzmann-Matan方法计算杂质扩散率与浓度的关系 对于半无限厚系统中的扩散,设定扩散边界处x=0,其初始条件(t=0时)为 当采用η来表示上述初始条件时,可表示为 4.1Boltzmann-Matan方法计算杂质扩散率与浓度的关系 当η的取值使得浓度C1位于0和C‘之间时，可将*式对C进行积分, 由于扩散时间t为常数,因此可以将X和t代替η代入上式，并且考虑到在C=0时， 于是得到 4.1Boltzmann-Matan方法计算杂质扩散率与浓度的关系 从中可得到扩散曲线中浓度C=C1时,扩散率D的大小 由此，可以计算任意形貌扩散曲线中某确定浓度值C1时扩散率D的大小 4.1Boltzmann-Matan方法计算杂质扩散率与浓度的关系 dx/dC为浓度为C1处扩散曲线的切线斜率值的倒数,而 为扩散曲线、C= C1时的水平线、以及横纵坐标围起来的面积值,其值等于图中条状面积大小 Zn原子无论是通过dissociative还是kick-out机制进行扩散,其扩散率D与浓度C之间的关系总是确定的,这个关系决定于III族原子处空位的价态r或者处于填隙态的III族原子价态k。Boltzmann-Matano方法的作用就在于确定出r或k的具体数值。 2、GaSb红外电池研究背景 GaSb红外电池是目前热光伏发电系统中最常用的光电转换器件，每年发表在国际能源类期刊上的热光伏发电技术的论文中,90%以上都釆用GaSb电池作为光电转换器件。除了应用于热光伏发电系统,GaSb电池在近红外波段具有较高光谱响应度,可与近红外波段激光器组成无线输电系统在无人侦察机、心脏起搏器的无线输电等领域具有广泛的应用。 1、红外电池简介 红外电池是光电池的一种，其通过吸收红外波段的电磁波产生电能。主要用于热辐射回收、提高可见光太阳能电池的效率。而太阳光谱中的一大部分为红外线，低温热源也会辐射大量红外线。红外电池的作用就是收集这一部分能量。 Ⅴ 锑化镓红外电池制备工艺的研究 锑化镓红外电池的传统制备工艺流程 准密封式单步锌扩散法 优缺点分析：单步锌扩散法制备GaSb电池成本较低,但是由于腐烛重掺杂层