《微电子学概论》-ch2_半导体物理.ppt

不同的半导体，电子摆脱束缚需要的能量不同 硅：1.12eV 锗：原子序数32，对价电子的束缚较弱，0.78eV 化合物半导体 共价键结合 每个III族原子周围有4个V族原子，V族原子周围有4个III族原子 V族原子把一个电子转移给III族原子，有一定离子性，结合强度增大 电子脱离共价键束缚需要的能量：1.43eV 电子摆脱共价键的方式 晶体内原子的热运动 常温下，硅中热运动激发产生的电子、空穴很少，对硅的导电性影响很小 光照 常温下硅的导电性 杂质 电导率、电阻率和迁移率 均匀导电材料：电阻或电导来表示导电能力，电场不很强，欧姆定律 杂质半导体的导电 电流不均匀 微分欧姆定律：j＝?E＝E/? 电导率与杂质浓度的关系 常温下电子无规则运动：不会形成电流 漂移运动：存在电场，由电场作用而产生电子沿电场方向的运动，产生一定定向速度 j=nqv，v是电场作用下的平均漂移速度 单位时间通过单位面积的电荷量（电流密度） v＝uE：u为载流子的迁移率（单位电场作用下的平均漂移速度） 由微分欧姆定律：j＝?E＝nqv＝nquE ?＝nqu：?为电导率 与半导体中的载流子浓度n有关 与载流子的迁移率u有关 载流子在运动过程中，与晶格、杂质、缺陷发生碰撞，无规则地改变运动方向，发生散射；经历一次散射载流子丧失了原有定向运动速度 单位电场下载流子的平均漂移速度（迁移率）等于载流子在两次散射之间单位电场力加速获得的平均速度 以电子为例 载流子的统计规律 大量载流子微观运动表现出来 电子的运动方式 稳恒运动，具有完全确定的能量：量子态 量子态相应的能量：能级 量子跃迁 共价键电子 摆脱共价键后自由运动的电子 掺杂原子:可以将电子束缚在周围运动 硅原子的14个电子在三层轨道上运动 轨道越高，能量越高 量子态的能量：每个轨道的电子能量 两层轨道之间不存在中间能量的量子态 量子态能量形象表示：能级图 每一量子态所取的确定能量：能级 用高低不同的水平横线来表示 每一个量子态称为一个能级 空能级：电子跃迁 共有化量子态 电子的共有化运动 轨道交迭：电子可从一个原子转移到相邻的原子上去 原子组合成晶体：电子的量子态发生质的变化（不再是固定于个别原子上的运动，电子穿行于整个晶体的运动） 电子摆脱共价键束缚形成一对电子和空穴 电子从价带到导带的跃迁过程 导带增加一个电子、价带增加一个空穴 禁带宽度：摆脱共价键所需的能量 导电的电子：导带中的电子 导电的空穴：价带中的空穴，实质是导带中电子的导电 从低向高能级跃迁：吸收能量；反之放出能量 费米分布 载流子的输运 载流子输运形成电流 漂移运动 扩散运动 重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 作 业 载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 根据量子统计理论，在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布 式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度。Ef 称为费米能级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。 在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同，即电子占据的概率为1/2。 不同半导体的能带和电子分布 能量 价带 导带 Eg Ef Ef/2 Ef/2 Eg Ef Ee Ev Ev Ee Eg Ef Ee Ev (a)本征半导体 (b)N型半导体 (c)P型半导体 空穴 电子 n型半导体：主要电子导电，有少量空穴 P型半导体：主要空穴导电，有少量电子 晶格热振动 产生电子跃迁：产生电子－空穴对 复合：导带电子落入价带空能级 热平衡时，电子、空穴浓度维持不变 半导体中少子和多子的平衡 （一个基本的载流子统计规律） 热平衡：无光照、PN结注入等 多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴 少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子 本征载流子浓度： n=p=ni np=ni2 ni与禁带宽度和温度有关 本征载流子 本征半导体：没有掺杂的半导体 本征载流子：本征半导体中的载流子 载流子来源：电子－空穴对的产生 载流子浓度 电 子 浓 度 n, 空 穴 浓 度 p 非本征半导体的载流子 在非本征情形: 热平衡时: N型半导体：n大于p P型半导体：p大于n 非平衡（过剩）载流子 由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的