七个呼噜娃.ppt

目录： …………………介绍 ……………实验细节 …………结果与分析 …………………总结 介绍： 氧化锌，是一种重要的n型宽带隙（3.3eV）的半导体，能为新型的以自旋为主的多功能器件提供合并电子，光电子和磁性元件材料。 在氧化锌薄膜和纳米结构上发现了室温铁磁性，这是通过在它最纯相位上测试或通过掺杂完全非磁性元件得出来的，再如HFO2、CaO、SnO2等不同的氧化物上演示的理论计算表明阳离子空位可诱导磁矩。 基于Sundaresam、Bouzerar、Wang等人的报告，我们推论这种空位诱导室温磁性应该取决于膜厚度；此外，控制所述缺陷的形成和参数化对实验是必要的，因此我们在试验中固定膜厚度通过改变氧分压水平来沉积Na掺杂型在ZnO薄膜。 实验细节： 纯的Na掺杂型ZnO薄膜是用Al2O3底物通过PLD技术来沉积的。 高纯度的ZnO和乙酸钠（99.99%）粉末在托盘上适当比例混合，然后烧结到800℃，为6%Na掺杂型ZnO薄膜目标做准备。一组通过改变激光发射总数令Zn0.94Na0.06O膜厚度在69-216纳米之间浮动；另一组具有恒定厚度的Zn0.94Na0.06O膜，通过在10ˉ4至10ˉ2托范围内改变氧分压水平来制备。 所有的纯ZnO和Zn0.94Na0.06O薄膜的结晶相通过XRD确定，而磁性测量由超导量干涉器件进行光致发光，光谱测量使用具有氙灯源的绿光光度计实现Na掺杂薄膜的光学带隙之间的缺陷层过度。由XPS证实，Na掺杂ZnO薄膜的化学组成和Na离子在ZnO晶格内锌位点的取代。霍尔测量用来估计半导体膜的载流子浓度和类型 结果与分析： 纯ZnO薄膜和Zn0.94Na0.06O薄膜的MFM图像 总结 在固定的氧分压下Zn0.94Na0.06O薄膜在最低膜厚度（64nm）下表现出最大的Ms和Tc。 相同膜厚度的Zn0.94Na0.06O薄膜的Ms随氧分压减少而减少，随氧分压的降低Zn0.94Na0.06O薄膜的铁磁性受到抑制可排除氧空位缺陷作为RTFM的起源的可能。 在氧化锌模型中钠离子对锌位置的替换已被XPS的研究证实，而PL分光测定显示大量VZn缺陷的存在，这是Zn0.94Na0.06O薄膜中RTFM的起因。 VZn浓度随着膜厚度、氧分压、Zn0.94Na0.06O薄膜的 铁磁反应变化而变化。 NaZn缺陷对磁性的贡献也不可忽视，因为NaZn能诱导局部磁矩。因此，一价钠的取代有效的稳定了氧化锌薄膜中阳离子缺陷引起的RTFM，这是一个制备新的基于氧化锌的高温磁性半导体的途径。 钠掺杂氧化锌薄膜在较高氧分压下制备和具有相对薄的膜厚度对其上有阳离子缺陷诱导的RTFM的稳定性是最有利的。 * 在发光的P型Na掺杂ZnO薄膜上，膜厚度和氧分压对阳离子缺陷引起的铁磁性的影响。 组员：艾超群、潘照、 王雪、邸超凡、钟义全、范玮霖、陈贝龙 纯的ZnO和Zn0.94Na0.06O薄膜的结晶相的衍射图样 相似厚度Na掺杂Zno薄膜处于不同分压生长时的载体浓度、薄膜电阻率和载离子迁移率的变化情况 对不同厚度的Zn0.94Na0.06O薄膜在固定氧分压下测量的室温的磁化强度 厚度为114纳米的Zn0.94Na0.06O膜的磁化强度 Zn0.94Na0.06O薄膜铁磁特征是在氧分压较少时的薄膜沉积，图a是其相应的磁化强度测量结果 图b是具有相似厚度的Na掺杂氧化性薄膜的磁化强度值和居里温度值与相应的空位浓度的关系曲线 图a通过使用MgKɑ Zn0.94Na0.06O薄膜XPS测量扫描结果 图b显示了Zn的2p核层高分辨率的XPS图谱 图a显示了O1s核层的高分辨率XPS图谱 图b显示了Na1s核层的高分辨率XPS图谱 图a显示了不同氧分压下制备的纯ZnO和Zn0.94Na0.06O薄膜的室温PL光谱 在图b中用包含有ZnO能带间隙的不同的缺陷级别的原理能带图来描绘整个PL辐射过程 图a是在不同的氧分压、相同的膜厚度下Zn0.94Na0.06O薄膜绿光发光强度 图b在相同氧分压、不同膜厚度下Zn0.94Na0.06O薄膜绿光发光强度 *