中南大学电工学B(少学时)测试题.docxVIP

第一章自测题一、填空题1、反映实际电路器件耗能电磁特性的理想电路元件是 　　；反映实际电路器件储存磁场能量特性的理想电路元件是 　；反映实际电路器件储存电场能量特性的理想电路元件是 　　。2、电流沿电压升高的方向取向称为非关联方向，这种方向下计算的功率为负值时，说明元件　　。3、半导体存在电子导电和空穴导电两种导电方式；杂质半导体主要有　型半导体和　型半导体，其中多子是空穴的是　　。4、如图所示电路的最简形式是 。5、晶体管有　　、　　、　　三种工作状态，当发射结正偏、集电结反偏时，晶体管所处状态是　　。6、图中UBE与UEC的大小关系是　　。7、理想运放工作在线性区时的两个重要结论是　 和　 。(第4题)(第6题)(第8题)8、图中电路的输出电压值是　9、理想运算放大器的开环电压放大倍数为 ，输入电阻为 ，输出电阻为 。10、测得放大电路中晶体管上各电极对地电位分别为V1=2.1V，V2=2.8V,V3=4.4V,说明此晶体管为 型 管，1为 极，2为 极，3为 极。11、一盏“220V、60W”的电灯，当接到110V电压下工作时的电流是 12、晶体管的三个区分别是 。二、判断题1、对于电感元件，其韦安特性是一条通过原点的直线。 （　）2、电阻始终是耗能元件，电源可能是耗能元件。 （　）3、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（　）4、本征半导体因不含杂质，所以本征半导体不导电。（　）5、二极管的击穿都是可以恢复的。（　）6、硅管的死区电压约为0.1V，锗管的死区电压约为0.5V。（　）7、稳压管反向击穿后电压变化很大，电流变化很小。（　）8、电流源提供的电流不随外接电路的变化而变化，其端电压由内电阻决定。（　）9、NPN型晶体管处在放大状态时有VCVBVE。（　）10、晶体管集电极电流IC由基极电流IB决定。（　）11、在稳压电路中，稳压二极管工作在正向导通。（　）12、二极管截止时，管中没有电流流过。（　）13、二极管也叫双极型晶体管。（　）14、能为电路提供能量的只有独立电压源和电流源。（　）三、选择题1、用直流电压表测得某放大电路的三只晶体管的三个电极对地电压分别如图所示。则三只晶体管的类型分别是（ ）A、NPN、NPN、PNP B、NPN、PNP、PNPC、PNP、PNP、NPN D、NPN、NPN、NPN2、恒压降二极管模型的伏安特性曲线是（ ）ADCB3、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V, 内阻为零的电池正向连接, 该管( ) A、击穿 B、导通 C、截止 D、电流过大使管子烧坏4、二极管反偏时，以下说法正确的是（ ） A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流； B、在达到死区电压之前，反向电流很小； C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关5、与门的图形符号是（ ）DCBA6、晶体管三个电极上的电流满足（ ）A、IC=IEIB B、ICIBIE C、IEICIB D、IEIBIC7、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（ ）A、与非门 B、或门 C、或非门 D、非门8、当温度升高时，二极管的反向电流将( )A、增大 B、减小 C、不变 D、由外电路决定三、计算题1、图中U1= -1V，U2=-3V，U3=-1V，U4=1V，U5=2V，I1=4A，I5=-2A, I3=-2A，试判断各元件是电源还是负载。2、已知电路如下图示：V为理想二极管，试分析：①二极管导通还是截止？②UA0=？3、电路如图所示，已知,二极管导通电压UD=0.7V，试画出ui与u0的波形图，并标出幅值。 4、放大电路中晶体管T1、T2、T3的电流如下所示。试指出每只晶体管的B、C、E极，判断晶体管是NPN型还是PNP型？⑴ I1 = 0.01mA I2 = 2mA I3 = -2.01mA⑵ I1 = 2mA I2 = -0.02mA I3 = -1.98mA⑶ I1 = -3mA I2 = 3.03mA I3 = -0.03mA5、用万用表直流电压档测得电路中晶体管（PNP型硅管）各电极对地电位如图所示，试判断各晶体管分别工作于什么状态（放大、饱和、截止）。6、测得晶体管在放大电路中各点电位如图所示，试画出管子。第二章自测题一、填空题1、基尔霍夫电压定律和电流定律的本质分别是 和 。2、对于具有n个结点，b条支路的电路，可以列出 个独立的电流方程和 个独立的电压方程。3、如图所示，该电路共有 个结点、 条支路、 条回路、 个网孔。4、已知、、、，则如图所示电路中的电流= （第5题）（第4题