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位错理论3-位错的弹性性质
* Line tension of dislocation 位错的线张力: 因为位错的总应变能与位错线的长度成正比; 所以为了降低系统的能量,必须有位错线由曲变直,由长变短的自发倾向。 该倾向视为:一个张力沿位错线作用 位错线张力T定义:使位错线增长一定长度dl所做的功W,即: * Line tension of dislocation * Line tension of dislocation 位错线增长dl长度所增加的应变能=W 所以: 一般取a=0.5 外加切应力t作用于dl位错线上的力Ft使位错线变弯。 所以: Ft * Line tension of dislocation 可以认为位错线张力T在Ft的负方向上的分力使位错线变直。 所以有平衡关系: Ft * Line tension of dislocation 线张力T与曲率半径r的关系: Ft * 目录 弹性理论基础 位错的应力场 位错的应变能 位错所受的力 位错的线张力 位错间的相互作用力 * Dislocation interactions 位错间的相互作用力: 定义:当两个位错靠近到一定程度,达到彼此的应力场范围以内,就相互吸引或排斥,就好像它们之间存在着作用力 实质:作用在晶体原子上的组态力 能量角度的讨论——一般位错的处理方法: 当两位错距离很远时,系统的总应变能 * Dislocation interactions 能量角度的讨论: 当两位错距离很近时,可认为两位错合成一个大位错 所以: 当b1、b2同号时: E’E ——表明两位错使系统应变能升高,所以两位错相互排斥 当b1、b2异号时: E’E ——表明两位错使系统应变能降低,所以两位错相互吸引 * Interaction of screw dislocation 相互平行的两个螺位错间的作用力 设b1和b2两个螺位错平行,即: b1∥b2∥z轴 (相距r) * Interaction of screw dislocation 当b1和b2同号时:F0 作用力为排斥力 当b1和b2异号时:F0 作用力为吸引力 * Interaction of edge dislocation 相互平行的两个刃位错间的相互作用力 两个平行于z轴的刃位错,即: b1∥b2⊥z轴 (相距r) * Interaction of edge dislocation * Interaction of edge dislocation 讨论: Fyx使位错II滑移的作用力分量 当x=0: 位错II处于Y轴——Fyx=0 当x≠0且┃x┃┃ y ┃时,即位错II偏离Y轴 ——Fyx0 为吸引力,使位错II又回到Y轴。Y轴称为最稳定组态,表明刃位错最倾向于垂直排列——该位错组态称为“位错墙(壁)(dislocation wall)” * Interaction of edge dislocation 讨论: Fyx使位错II滑移的作用力分量 ┃x┃=┃ y ┃时(即x=±y)——Fyx=0 无使位错II滑移的力。 若稍有偏离┃x┃=┃ y ┃时——Fyx≠0 ; 此作用力使位错更远离此位置,该位置为亚稳定状态。 * Interaction of edge dislocation 讨论: Fyx使位错II滑移的作用力分量 当┃x┃┃ y ┃时, 即处于I、II区——Fyx0 : 斥力;其中x≠0而y=0, 即在x轴上, Fyx0表明两位错处在同一滑移面上,同号位错总是相斥,离得越近排斥力越大。 当┃x┃┃ y ┃时, 即处于III、IV区——Fyx0 :引力;位错II受位错I的吸引,使之更靠近Y轴。 * 异号位错 同号位错 稳定状态 亚稳定状态 * Interaction of edge dislocation 讨论: Fxx使位错II攀移的作用力分量( Fxx为正应力分量对攀移起作用) 当 y0在滑移面上——Fxx0 :使位错正攀移(向上); 当 y0在滑移面上——Fxx0 :使位错负攀移(向下); * Interaction of edge dislocation 异号位错 同号位错 * Image force 当位错处于晶体表面附近时,便有自动移向表面以降低应变能的趋势?表面对位错具有吸引力(假想力——镜像力、映象力) 晶体中位错移至表面消失?两异号位错相互吸引,相遇而抵消。 * 位错理论III——位错的弹性性质 朱旻昊 材料先进技术教育部重点实验室 2006年3月 * 目录 弹性理论基础 位错的应力场 位错的应变能 位错所受的力 位错的线张力 位错间的相互作用力 * Basis of elasticity theory 弹性连续介质模型: 假设
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