AlN InN GaN 物理参数.docVIP

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2016-08-16 发布于河南
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AlN InN GaN 物理参数.doc

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AlN InN GaN 物理参数

AlN InN GaN 物理参数 PROPERTY / MATERIAL . Cubic (Beta) AlN . Hexagonal (Alpha) AlN . Structure Zinc Blende Wurzite Space Group F bar4 3m C46v ( = P63mc) Stability Meta-stable Stable Lattice Parameter(s) at 300K 0.436 nm a0=0.3111 nm c0 = 0.4978 nm Density at 300K 3.285 g.cm-3 3.255 g.cm-3 Elastic Moduli at 300 K . . . . . . Linear Therm. Expansion Coeff. at 300 K . . . Along a0: 5.3x10-6 K-1 Along c0: 4.2x10-6 K-1 Calculated Spontaneous Polarisations Not Applicable – 0.081 C m-2 Bernardini et al 1997Bernardini Fiorentini 1999 Calculated Piezo-electric Coefficients Not Applicable e33 = + 1.46 C m-2 e31 = – 0.60 C m-2 Bernardini et al 1997Bernardini Fiorentini 1999 Phonon Energies . . . . . . Thermal Conductivity near 300K . . . Units: Wcm-1K-1 Tansley et al 1997b 3.0 to 3.3for thick, free-standing AlN Florescu et al, 2001 Melting Point . . . . . .. K Dielectric Constant at Lowish Frequency . . . Mean = 9.14 Refractive Index . . . 2.15±0.05 at 3eV Tansley et al 1997b Nature of Energy Gap Eg Direct Direct Energy Gap Eg at 300 K . . . eV 6.2 eV Yoshida et al 1982Vurgaftman et al (2001) Energy Gap Eg at 5 K . . . 6.28 eV Vurgaftman et al (2001) Intrinsic Carrier Conc. at 300 K . . . . . . Ionisation Energy of . . . Donor . . . . . . . Electron Mobility at 300 K for n= . . . . . . . . Electron Mobility at 77 K for n= . . . . . . . . . Ionisation Energy of . . . Acceptor . . . . . . Hole Mobility at 300 K for p= . . . . . . . . . . Hole Mobility at 77 K for p=. . . . . . . . . . . Cubic (Beta) AlN Hexagonal (Alpha) AlN Return to Top of this Page Return to SEMICONDUCTORS INFORMATION Home Page PROPERTY / MATERIAL . Cubic (Beta) GaN . Hexagonal (Alpha) GaN . Structure Zinc Blende Wurzite Space Group F bar4 3m C46v ( = P63mc) Stability Meta-stable Stable Lattice Parameter(