光电子学 (第四章9).pptVIP

解： 由于 平方律光纤Vc=3.518但V的截至值对HE12模=3.832 阶跃光纤Vc=2.405代入上式得a=2.552?10-6 例题4：一个折射率差 , ( )的单模光纤, 如果其截止波长为1?m, 计算其光纤的纤芯直径. 例题5 (1)： 1. 引言 2. 理论模型 3. 单波导模式特性 4. 耦合 5. 结论 基于石墨烯圆柱形混合波导的中红外表面等离激元模式分析 高集成度光子集成电路，是发展具有很强亚波长光波导长距离传播本质。有效方法用表面等离子体波导传播。 贵金属最好等离子体材料。各金属基SPPs波导提出，金属薄膜波导，金属-绝缘体-金属波导，金属nm线波导，金属槽/楔形波导。金属基SPPs波导实现亚波长限制，因内在?损耗只允许SPPs传播几?m. 提出由位于金属层和高折射率介质层间低折射率介质层组成混合等离子体波导，实现亚波长限制和长距离传输。波导工作波长设计为近红外到可见光区，集中电信波长。中红外范围金属表面约束减弱，致金属该波段适合SPPs波导。金属基表面等离激元波导性能只能被动改变几何参数调整，限制应用。 石墨烯具0带隙二维半导体，C原子排列在六角晶格组成新材料，设计基于石墨烯SPPs波导有价值，中红外范围长传播距离。有独特电子和光学特性：低损，强亚波长限制，调门压或化学掺杂可调电磁特性。 石墨烯基SPPs波导提出，石墨烯薄膜波导、nm带波导、槽/楔形波导、石墨烯–包覆nm线波导。与传统金属波导比，石墨烯基SPPs波导有更强模式限制（小模场面积）。 石墨基SPPs波导传输长度金属基SPPs波导两个数量级。随进一步?集成电路密度需?模面积，??损耗以?传播长度。提出石墨烯基nm带杂化SPPs波导。石英层位于石墨层和Si层间。混合波导与其他石墨烯基波导比实现小模场面积和大传播长度。是矩形波导，电场分布石墨烯带角最强。不可避免，强EM和石墨烯互作用，进一步??损耗和阻碍传播长度?. 例题5 (2)： 例题5 (3)： 克服波导缺点，提出基于石墨烯-圆柱形混合SPPs波导，Si纳米线核心包围SiO2和石墨烯层。 求解亥姆霍兹方程推导波导EM表达式，分析基于电磁波导模式特征。波导达超小模场面积和?传输距离能力，与FDTD数值结果吻合； 利用耦合模微扰理论，看到，对称耦合模式（SCM）和反对称耦合模式（ASCM）起源两波导具有相同单一波导耦合。最低六阶耦合模从最低三阶单波导模耦合。m=1阶yy耦合模由于存在最弱耦合有最大耦合长度和最小串扰。 Fig1. 结构图：基于圆柱混合表面等离子体激元（SPPs）形成圆柱形Si nm线核心包围SiO2层波导和石墨烯层。(a)横截面；(b)三维结构。 例题5 (4)： (1)—EM (2) 定义三区域?（Si nm线，SiO2和真空）?1?2ε0 1. 引言 2. 理论模型 3. 单波导模式特性 4. 耦合 5. 结论 例题5 (5)： (3)—TM模—分离变量法方程 (4) 横向传播常数 修正第一和第二类贝塞尔函数 存在损耗，EM波消逝波从Si nm线?SiO2层?石墨烯层真空。方程(3)解： 例题5 (6)： (5) Am，Bm，Cm，Dm边界条件确定常数 , . , Si nm线，SiO2和真空横向传播常数 波导中心EM有限值，远离波导?0，得三区域EZ(r, φ) 例题5 (7)： (6) r Rsi 方程(5)代入(2)，得三个区域EH分量： 例题5 (8)： Rsi r RSi + hSiO2 (7) 例题5 (9)： (8) r RSi + hSiO2 根据(5)-(8)研究波导模式特性。 例题5 (10)： (9) 石墨烯电导率: εg=1+iσg/(ε0ωd), 计算石墨烯介电系数. σg=σintra+σinter, σintra石墨烯带内σinter带间电导率. T=300K, μ=1.0(m2/Vs), d=1nm, 入射波长λ=7μm. τ=μEF/(evF2), τ电子弛豫t, μ电子迁移率, EF石墨烯费米能, e电子电荷, vF费米速度 1. 引言 2. 理论模型 3. 单波导模式特性 4. 耦合 5. 结论 例题5 (11)： Fig2. (a)石墨烯介电常数为EF函数，?=7μm； (b)，(c)不同模neff， 传播长度，波导归一化模式区是不同模式EF函数； (d)m=0模E分布, 位于波导横截面(彩)和波导横截面沿x轴(曲线); (e)-(j)波导横截面E分布, 两种退化模m=1[(e)和(f)], m=2[(g)和(h)], m=