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* * * * * * * * * * * * 半导体物理学考试时间：1月30日下午14:00-16:00 考试题型 1、填空： 6分 2、名词解释：15分 3、简答：24分 4、画图：10分 5、推导：20分 6、计算：25分 第一章 半导体的能带理论 1. 基本概念 共价键、闪锌矿结构、纤锌矿结构、共有化运动、单电子近似、能带、价带、导带、禁带；导体、半导体、绝缘体的能带；本征激发、空穴、电子空穴对；有效质量；载流子及载流子浓度。 2. 基本理论 晶体中的电子共有化运动；有效质量的物理意义。 第二章 半导体中的杂质与缺陷能级 1. 基本概念 间隙式杂质、替位式杂质、杂质浓度；施主杂质、施主能级、施主电离能、n型半导体；受主杂质、受主能级、受主电离能、p型半导体；杂质补偿 2. 基本理论 实际半导体与理想半导体的主要区别；受主、施主能级在能带中的位置。 第三章 半导体中载流子的统计分布 1. 基本概念 热激发、复合、热平衡状态、热平衡载流子、状态密度、费米分布函数、费米能级、玻尔兹曼分布函数、多数载流子、少数载流子、非简并、简并。 2. 基本理论 载流子统计分布理论；杂质半导体的载流子浓度分布及随温度的变化理论；简并半导体的载流子浓度分布理论；简并化条件。 3. 推导与计算 半导体载流子浓度计算关系式的推导： 对导（价）带分为无限多无限小的能量间隔的情况有：E~(E+dE) 量子态数：dZ=gc(E)dE 载流子占据能量为E的量子态的概率f(E) 在能量E~(E+dE)间有载流子数：f(E) gc(E)dE 把所有能量区间中的载流子数相加，即从导（价）带底（顶）到导（价）带顶（底）对f(E) gc(E)dE进行积分，得到半导体中导（价）带的载流子总数 载流子总数/半导体体积=载流子浓度 第四章 半导体的导电特性 1. 基本概念 漂移运动、扩散运动、迁移率、扩散系数、电导率、载流子的散射、声子、平均自由时间 2. 基本理论 半导体中载流子运动的欧姆定律；载流子的散射理论与散射机构。 3. 推导与计算 第五章 非平衡载流子 1. 基本概念 非平衡载流子浓度、非平衡载流子寿命、准费米能级、产生率、复合率、直接复合、间接复合、俄歇复合、陷阱效应。 2. 基本理论 非平衡载流子的注入理论；非平衡状态的载流子浓度理论（准费米能级）；复合理论（间接复合的四个过程）；非平衡载流子的扩散与漂移；半导体的电流连续性方程。 2. 基本理论 3. 推导与计算 载流子浓度和能级结构之间的关系 3. 推导与计算 爱因斯坦关系式 考虑一处于热平衡的非均匀n型半导体，其中施主杂质浓度随x增加而下降，则电子浓度n0(x)和空穴浓度p0(x)都是x的函数，而且由于浓度梯度的存在，载流子会延x方向产生扩散电流： 同时存在漂移和扩散的电流密度表达式 连续性方程 第六章 p-n结 1. 基本概念 空间电荷区、耗尽层、接触电势差、势垒电容、扩散电容、p-n结的三种击穿机制 2. 基本理论 少数载流子扩散及平衡p-n结能带的形成；正反向偏置时能带图的变化；理想p-n结的电流电压特性的关系及其物理含义 。 3. 推导与计算 同质p-n结的接触电势差的表达式 及其计算。 3. 推导与计算 理想p-n结假设下肖克莱方程的推导。 第七章 金属和半导体的接触 1. 基本概念 功函数、电子亲和能、接触电势差、肖特基势垒、欧姆接触。 2. 基本理论 肖特基二极管和p-n结二极管的异同；平衡金属-n型半导体接触的能带图及整流理论。 图7-5 金属与n型半导体接触能带图 第八章 半导体表面与MIS结构 1. 基本概念 表面态、MIS结构、表面势、平带状态、耗尽状态、反型状态，深耗尽状态。 2. 基本理论 外场作用下半导体表面状态的分析（能带图）；MIS结构的C-V特性。 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 A B C D E F C0 CFB Cmin C?min Vmin 1低频 C0 2高频 G H 0 0 +V C/C0 第九章 半导体异质结构 1. 基本概念 同质结、异质结（反型异质结；同型异质结）。 2. 基本理论 异质结成结理论及能带图分析。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *