北邮微电子器件基础5-8章-要求掌握的重点.ppt

非平衡载流子注入 探针注入 小注入、大注入 非平衡载流子浓度、非平衡多子浓度、非平衡少子浓度 非平衡载流子寿命（少子寿命、寿命） 准费米能级（电子准费米能级、空穴准费米能级） 直接复合 间接复合 表面复合 俄歇复合 最有效复合中心 陷阱效应 载流子扩散 扩散长度 连续性方程 第五章 非平衡载流子（非平衡半导体） 一、概念（掌握基本的定义及其意义） 最有效复合中心能带示意图 间接复合过程能带示意图 俄歇复合过程能带示意图 表面复合过程能带示意图 非平衡半导体能带图（包括N型、P型、本征型） 有效陷阱的能带示意图 表面复合对半导体载流子寿命的影响 金在硅半导体中的有效复合中心作用 连续性方程中每一项的物理意义 二、图（能画出坐标及图形，并标示有关符号，解释其对应的机理） 三、论述题（进行总结，并用文字进行简明扼要的解释说明） 非平衡半导体价带空穴浓度 非平衡半导体导带电子浓度 净复合率 ，或者 用准费米能级表示的非平衡半导体载流子浓度（求准费米能级的位置）， 间接复合净复合率 四、关系式（公式）（记住并能灵活应用） 理解价带空穴浓度与导带电子浓度的乘积 电子扩散电流密度 电子漂移电流密度 空穴电流密度 电子电流密度 半导体总电流密度 空穴扩散电流密度 空穴漂移电流密度 爱因斯坦关系式 一维空穴连续性方程 一维电子连续性方程 第六章???PN 结 突变结 单边突变结 线性缓变结 结深 扩散结 平衡PN结 PN结空间电荷区 PN结接触电势差 PN结势垒高度 PN结势垒宽度 耗尽层近似 12 PN结正偏（正向偏压） 13 PN结反偏（反向偏压） 14 势垒电容 15 扩散电容 16 PN结雪崩击穿 17 PN结隧道击穿 18 热击穿 19 隧道结 20 隧道二极管峰值电流、峰值电压 21 隧道二极管谷值电流、谷值电压 22 隧道二极管过量电流 一、概念（掌握基本的定义及其意义） 平衡PN结能带图 正向偏压下，PN结能带图 PN结电流-电压关系曲线 突变PN结电场分布图 隧道二极管电流-电压曲线 平衡PN结的形成原理 平衡PN结的性质与特点 PN结势垒电容是如何形成的？势垒电容与杂质浓度和杂质分布的关系？ PN结扩散电容形成的原因 用能带图说明隧道二极管电流-电压关系的对应机理 雪崩击穿电压的温度特性及解释 二、图（能画出坐标及图形，并标示有关符号，解释其对应的机理） 三、论述题（进行总结，并用文字进行简明扼要的解释说明） 突变结泊松方程 突变结空间电荷区宽度、电场强度、最大电场强度、电位求解 突变结势垒电容求解 四、关系式（公式）（记住并能灵活应用） 第七章 MS接触 半导体功函数 电子亲和能 金属-半导体功函数差 金属-半导体接触电势差 半导体表面空间电荷区 电子阻挡层 电子反阻挡层 表面势垒高度 表面势垒宽度 半导体表面势 11 表面态 12 钉扎效应 13 施主型表面态 14 受主型表面态 15 表面中性能级 16 表面态密度 17 理想欧姆接触 18 接触电阻 19 高低结 20 肖特基势垒二极管 21 MS肖特基模型 22 MS巴丁模型 一、概念（掌握基本的定义及其意义） 金属-N型半导体接触形成电子阻挡层情况下的能带图 金属-N型半导体接触形成电子反阻挡层情况下的能带图 正向偏压下，金属/N型半导体接触能带图表示 金属与半导体欧姆接触的基本结构示意图 扩散理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 热电子发射理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 形成金属与半导体欧姆接触的基本原理和手段 肖特基势垒二极管的主要特点 半导体功函数计算 按肖特基功函数模型计算MS接触电势差、势垒高度 MS接触中，电子隧道穿透半导体表面势垒的几率 二、图（能画出坐标及图形，并标示有关符号，解释其对应的机理） 三、论述题（进行总结，并用文字进行简明扼要的解释说明） 四、关系式（公式）（记住并能灵活应用） 理想MIS结构 半导体表面电场效应 表面堆积 表面平带 表面耗尽 表面本征 表面弱反型 表面临界强反型 表面强反型 表面深耗尽 临界强反型 半导体表面最大耗尽层宽度 第八章 半导体表面与MIS结构 18 反型层 19 费米势 20 表面空间电荷区 21 表面空间电荷区宽度 22 表面势 23 表面电场 一、概念（掌握基本的定义及其意义） MIS结构图（包括半导体为P型、N型两种） MIS结构中，半导体表面耗尽状态下的能带图 MIS结构中，半导体表面本征状态下的能带图 MIS结构中，半导体表面临界强反型状态下的能带图 MIS结构半导体表面中的泊松方程 耗尽状态下的表面势、耗尽层宽度