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半导体中载流子的统计分布.ppt
第一节中,进行简并半导体的载流子浓度计算时,并未考虑禁带变窄效应,所以只能适用于掺杂浓度小于3×1018cm-3的情况。当掺杂浓度大于3×1018cm-3时,必须考虑禁带变窄效应的影响。但是重掺杂半导体材料的许多特性还没有完全被人们所认识,至今尚无完善的理论。 3.6.4 禁带变窄效应 1958年发现具有负阻效应的隧道二极管,就是用重掺杂的半导体制程的pn结,其中n型材料的EF进入了导带,而p型材料的EF进入了价带,它们都是简并的。 * 小 结 求载流子浓度 n0,p0 g(E) 状态密度(单能谷,多能谷) f(E) 统计分布函数 玻耳兹曼统计 非简并半导体 费米统计 简并半导体 本征半导体 Ei,ni 杂质半导体 (单一杂质) (低温弱电离区 ? 中等电离区 ? 强电离区 ? 过渡区 ? 本征激发区) 杂质半导体 (补偿情形) (低温弱电离区(极低温区 ? 转变为单一杂质) ? 中等电离区 ? 强电离区 ? 过渡区 ? 本征激发区) * 只有一种施主 电中性条件 电子浓度 费米能级 低温弱电离 n0 = nD+ 强电离区 n0 = nD+ n0 = ND 过渡区 本征区 (NDni) * NDNA 电中性条件 电子浓度 费米能级 低温 弱电离 NAn0 n0NA 强电离区 过渡区 本征区 * * * * 1、简并半导体的载流子浓度 2、简并化条件 3、低温载流子冻析效应 4、禁带变窄效应 3.6 简并半导体 在半导体器件设计常要求对材料进行很高浓度的掺杂,目的是常温下产生很高的载流子密度。当受主和施主密度很高时,费米能级进入导带和价带,以P+和N+半导体称之。 载流子处于简并状态。 3.6 简并半导体 单一杂质,n型半导体处于饱和区时,其费米能级为: 由于一般情况下,NDNC或(ND-NANC ),因而半导体的费米能级在导带底EC之下处于禁带中。 3.6 简并半导体 但是当ND≥NC或(ND-NA ) ≥NC 时, EF将与EC重合或在EC之上,也就是说费米能级EF进入了导带。 在低温弱电离区,费米能级EF随着温度升高而增大至一极大值后就不断减小趋近禁带中线,如果这一极大值进入了导带,亦即EF进入了导带。 对于p型半导体,作类似分析,费米能级EF也会低于价带顶处于价带中。 3.6 简并半导体 根据费米能级的意义: 若费米能级进入了导带,则一方面说明n型杂质掺杂水平很高(即ND很大)。另一方面说明导带底附近的量子态基本上已被电子所占据。 若EF进入了价带,则说明p型杂质掺杂水平很高(即NA很大),以及价带顶附近的量子态基本上已被空穴所占据。 3.6 简并半导体 导带中的电子数目已经很多,f(E)1的条件不能成立。而价带中的空穴数目也很多,[1-f(E)]1的条件也不能满足了。 必须考虑泡利不相容原理的作用,不能再应用波尔兹曼分布函数,而要用费米分布函数来分析导带中的电子及价带中的空穴的统计分布问题。 这种情况称为载流子的简并化,发生载流子简并化的半导体称为简并半导体。 3.6 简并半导体 在前几节的讨论中,认为费米能级EF在禁带中,而且EC-EFk0T或EF-EVk0T。这时导带电子和价带空穴服从玻耳兹曼分布,它们的浓度为 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 但是,EF非常接近或进入导带时,EC-EFk0T的条件不满足,这时导带电子浓度必须用费米分布函数计算,于是简并半导体的电子浓度n0为 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 则 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 令 其中积分 称为费米积分,用F1/2(ξ)表示。因而,n0可写为 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 作为费米能级函数的费米-狄拉克积分F1/2 (ξ) 图中给出了费米积分F1/2 (ξ)与ξ的函数关系。对于给定ξ值,查图可找出F1/2 (ξ) 。 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 * 当EF非常接近或进入价带时,用同样方法可得简并半导体的价带空穴浓度为 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 3.6.2 简并化条件 图中分别画出 所决定n0与(EF - EC)/(k0T)的关系曲线,图中纵坐标为对数坐标,两条曲线的差别就反映了简并化的影响。 由图看出, EF = EC时, n0的值已有显著差别。必须考虑简并化的作用。 实际上,当EF接近但还未超过导带低EC时,已经有一些简并化效果。在EF比EC低2k0T时,即EC-EF=k0T时,n0的值已经开始略有差别了。所以可以把EF与EC的相对位置作为区分简并化的标准。即 EC-EF﹥2
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