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半导体物理-2014.09.02
半导体物理李 琳 2014.09联系方式办公楼311房ilin@mail.buct.edu.cn绪论了解半导体物理的基础理论,物理概念和主要性质。掌握研究半导体基本原理和测量技术的基本方法,为从事微电子技术、半导体器件、传感器及应用、集成电路等方面的工作打下必备的基础。半导体物理的研究对象: 半导体的电子运动规律和基本物理性质 导体 半导体 绝缘体 10-6 ~ 10-4 10-4 ~ 1010 1010半导体的纯度和结构纯度极高,杂质1013cm-3结构半导体的种类元素半导体:Si,Ge(IV族) III-V族半导体:GaAs, InP化合物半导体II-VI族半导体:ZnS IV-IV族半导体:SiC半导体自诞生至今经历了三个发展时期 Si,Ge-第一代半导体,五六十年代,现在仍是最重要的微电子材料 GaAs,InP-第二代半导体,七八十年代,通讯用激光器,DVD用激光器,高电子迁移率器件(HEMT) SiC,GaN-第三代半导体,特点:禁带宽度大。蓝紫光激光器,白光照明,高电子迁移率器件(HEMT),大功率器件。90年代以后半导体的主要性质(一)电阻率的杂质敏感特性 纯Siρ~ 2.14×105 Ω· cm掺入10-6(原子比)P原子ρ~ 0.2 Ω· cm室温下(二)温度敏感特性纯Si,温度每增加8度,电阻率相应降低50%左右(3)光学特性 CdS光敏电阻(4)磁敏感特性 霍尔效应、磁阻效应。(5)压阻特性课程地位和知识应用领域传感器光电器件微波器件MEMS集成电路微电子器件原理半导体材料微电子工艺基础半导体物理统计学物理固体物理量子力学本课程讨论的主要对象 —典型的半导体(Si,Ge,GaAs, ……)本课程讨论的基本问题— ? 材料的基本物理性质: 晶体结构;能带结构;电子基本运动状态; (固体物理、第一章) ? 半导体中的载流子(电子,空穴)及其运动状态: p型,n型半导体; 电场,磁场中的载流子; 非平衡载流子; (第二、三、四、五章) ? 器件物理基础: PN结; M/S接触;MOS结构; (第六、七、八、九章)教材与参考教材《半导体物理学》刘恩科、朱秉升等,电子工业出版社,2010年[1] 《半导体物理学》 叶良修,高等教育出版社,2007年。[2] S.M.Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology, Wiley, New York, 1985.课程考核期末考试: 70%平时成绩:30%2013年期末考试题型一、填空:2*15=30分二、简答:10+10+20=40分三、计算题:15+15=30分分值分布第一章:10分第二章: 8分第三章:10分第四章:10分第五章:19分第六章:28分第七章:15分第一章 半导体中的电子状态本章重点半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律领会“结构决定性质”处理方法单电子近似——能带论本章内容半导体中的电子状态(3学时)半导体的晶体结构和结合性质;半导体中的电子状态和能带;半导体的导电机构;硅和锗的能带结构;化合物半导体的能带结构。重点:半导体的能带结构;半导体的导电机构。1.1 半导体的晶体结构晶体=点阵+基元。基元:原子、离子、原子团,分子集团等。点阵:用一个几何点表示上述基元后,晶体所构成的点子阵列; 点阵是无限大沿三维周期性排列的点子。晶格:用直线以某种方式把点子连接起来所形成的格子。晶胞(cell)周期性重复单元固体物理学原胞:最小重复单元结晶学原胞:为反映对称性选取的最小重复单元的几倍七大晶系布拉菲格子(Bravais Lattices ) 属于每一晶系的空间格子,因为重复单元所包括的点子(格点、结点)不同,又可分为一种或几种类型。这样,七个晶系中共有14种重复单元,通常称为14种布拉菲格子。14种布拉菲格子中,按每个格子所包含的结点数目,又可分为原始格子、底心格子、体心格子和面心格子四种。典型半导体的晶体结构硅、锗:共价半导体硅、锗晶体结构:金刚石结构一个s态和三个p态组成sp3杂化轨道金刚石结构每个原子周围有四个最邻近的原子,这四个原子处于正四面体的顶角上,任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有,并形成稳定的共价键结构。共价键夹角:109°28′金刚石结构结晶学原胞 两个面心立方沿立方体空间对角线互相位移了四分之一的空间对角线长度套构而成。金刚石结构固体物理学原胞 中心有原子的正四面体结构(相同双原子复式晶格)结晶学晶胞:金刚石结构:同种原子构成的两个面心立方沿体对角线相对位移套构而成。 每个晶胞含原子数:
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