场效应晶体管-MOSFET.pptVIP

二、平衡状态下的MOSFET定性分析 N沟硅基MOSFET结构示意图 N沟MOSFET剖面图 沟道电荷在体内靠近氧化层界面处的积累 沿沟道的能带图 MOSFET结构与能带图 半导体表面的能带图 阈值电压 表面势 各种类型半导体中的能带图 增强型NFET 增强型PFET 耗尽型NFET 耗尽型PFET MOSFET的示意符号 源漏电压为零时的NFET垂直沟道的能带图和沿沟道的能带图 VOX ：栅电压VG 降落在 SiO2 绝缘层上的部分 VS ： 栅电压VG 降落在半导体表面的部分 VFB ：平带电压 一定偏压下NFET垂直沟道的能带图和沿沟道的能带图 典型的MOSFET特性 不同电压下沿沟道方向的能带图 MOSFET就是一个压控电阻。这个电阻位于源漏之间，通过控制提供电导的沟道载流子数来控制源漏间的沟道电导。 在MOSFET，通过调节栅压控制半导体能带弯曲来实现。栅压迫使导带底更加靠近或者远离费米能级。 三、平衡状态下的MOSFET定量分析 NFET的结构与纵向、横向电场 长沟模型 L5um~10um 单位面积氧化层电容 饱和电流与饱和电压的定义 饱和电流曲线 沟道载流子迁移率 电流饱和效应的说明 电流饱和效应的进一步说明 沟道长度调制效应 不同栅压下n沟MOSFET特性曲线 沟道长度效应的定性解释 漏极电压增加，有效沟道长度减少 漏极电压增加，阈值电压数值减少 半导体器件原