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半导体的光学特性 第一章 Optical Properties of Semiconductor 半导体光电子器件工作的本质就是 光子与半导体中电子的相互作用，因此，了解这种作用是掌握光电子器件的关键。 光子与半导体电子的作用可以用散射理论来描述 在光子的散射作用下，电子从一个状态进入另一种状态。 这里电子的状态用电子波矢k来表示。 光子导致的半导体电子散射可以在半导体导带内或者价带内发生，也可以在带间发生，例如从价带进入到导带或反之。 Semiconductor Optical Transition 预备知识 光子的描述 光是一种电磁波，可以用Maxwell Equation来描述 库伦规范 非平衡系统 准费米能级 吸收与辐射 * * * * * 为了便于研究光与电子的作用，我们往往采用矢势 与标势 来表示电磁波中的电场与磁场。 表示电场强度 表示磁感应强度， 上两式建立了磁场与电场的关系： Maxwell方程 2，3两式自动满足。 得到关于矢势的方程 矢势 满足矢势的方程 根据定义式，电场与磁场则为： Poynting矢量的定义为 这里 为 的单位矢量，Poynting矢量的时间平均 单位：J/m2/s 能量密度为 如果体积 中的光子的数量为 那么能量密度为 由上两式可以得到矢势的表达式为 单位体积的光子数是可以物理测量的，因此矢势 直接与物理量对应上了。 【例题】一束波长为1.55微米，功率密度为1uW/m2的光照射到接收器上，计算这束光的电场强度。 思考：如果入射光波长为0.8微米，功率密度相同，光的电场强度是否会发生变化？ 半导体电子 半导体在价带顶和导带底的能量与波矢的关系可以近似表示为 半导体在在价带顶和导带底的状态密度 单位为： 对于半导体价带，例如GaAs,其价带有重穴带与轻穴带，有效质量分别为 那么价带总的有效质量为 【例题】计算GaAs在导带上1.43eV的状态密度。 半导体中电子在导带与价带的分布遵从费米分布，能级E电子的占有几率为： 导带电子的密度为 导带底有效状态密度，单位为： 同理有 【例题】计算300K时，GaAs导带底的有效状态密度。 在有载流子注入时，半导体中的电子将不是前面提到的平衡系统。 在这种非平衡态时，电子的分布用电子准费米能级来表述。 电子在导带处于平衡态，空穴在价带处于平衡态，电子-空穴相互之间，以及与晶格之间不发生能量交换。 非平衡电子在导带的费米分布 非平衡空穴在价带的费米分布 【例题】温度为300K时，注入1017cm-3的电子与空穴到硅中，计算此时的电子空穴准费米能级。 量子力学的知识告诉我们在光子的作用下，电子发生散射，由初始状态 进入末态 这种状态跃迁的几率可以由费米黄金定则求得： 这里的减号对应光子的吸收，加号对应光子的辐射。 表示电子与光子相互作用哈密顿量，在矢势的表达式下为 单位：/秒 由费米黄金定则得到的跃迁几率既可以表示光子的吸收，也可以表示光子的发射。 ，动量为 的光子被电子系统吸收的几率可以表示为 可以证明一个具有能量为 * * *